哪些功率半导体将创造碳中和的未来？
东芝电子元件及存储装置株式会社通过采用最新技术实现高性能功率半导体来加速实现各类用电设备节能，为实现未来的碳中和世界做出贡献。
什么是功率半导体？
功率半导体是通过控制电流以减少功率损耗的半导体器件。个人电脑和其他电子设备在运行时会不断断电。通过使用高性能功率半导体可以保持较低的功率损耗。高性能功率半导体不仅可以实现个人电脑的节能，还可以实现智能手机、车载应用、轨道交通和变电站的节能。我们的高性能功率半导体有助于实现未来的碳中和世界！
像人类的心脏和肌肉
高效控制电力
功率半导体示例
东芝电子元件及存储装置株式会社的功率半导体
我们为客户提供各种类型的功率半导体，以减少世界各地各类设备的电力损耗及浪费。
为实现脱碳社会，节能备受关注，但电力需求不断增加，因此对低功率损耗的紧凑型电源转换系统的需求正在迅速增加。因此，除了提高Si功率器件的性能外，宽带隙（WBG）半导体的引入也持续推进中。我们正在扩大Si功率器件的产品阵容并增加我们的生产设施。在WBG半导体领域，我们已将碳化硅（SiC）功率半导体商业化。 此外，我们目前正在开发氮化镓（GaN）功率半导体。
SiC功率器件
与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种具有高击穿电场、饱和电子速度和热导率的半导体材料。因此，当用于半导体器件时，与硅器件相比，它们可以实现更高的耐压、更高的开关速度和更低的导通电阻。这些特性使得其有望成为可降低功耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。
东芝GaN功率器件实现性能和易用性的平衡
一方面，为实现无碳社会，节能引起人们广泛关注，另一方面，电力需求也在不断增长。小型高效电力转换系统的需求迅速增加。不仅促进了Si（硅）功率半导体器件性能的提高，还引入了化合物功率半导体器件。我们将扩展Si功率半导体器件产品线并提高产能。在化合物半导体方面，我们的SiC（碳化硅）半导体产品已实现商业化。此外，我们正在推动GaN（氮化镓）功率器件的开发。
MOSFET
东芝提供采用各种电路配置和封装的低VDSS和中／高VDSS MOSFET丰富组合，其特点是高速度、高性能、低损耗、低导通电阻、小封装等。
IGBT／IEGT[注1]
绝缘栅双极晶体管（IGBT）和栅极注入增强型晶体管（IEGT）是通过与MOSFET相同的方式控制栅极和发射极之间的电压，导通和关断集电极和发射极之间电源的器件。
二极管[注2]
东芝提供丰富的二极管组合，包括高速、低损耗肖特基势垒二极管（SBD）和高速信号线用TVS二极管（ESD保护二极管）。
[注1]IEGT：栅极注入增强型晶体管
[注2]二极管：包括功率半导体以外的产品
e-Learning
您可以观看“什么是半导体？” 到“功率半导体基础”的视频。
参考设计
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SiC MOSFETs
SiC肖特基势垒二极管
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