适用于USB设备和电池组保护的30 V N沟道共漏极MOSFET
我们的30 V N沟道共漏极MOSFET SSM10N961L适用于USB设备和电池组保护应用。该产品有两个内部连接的MOSFET元件，采用芯片LGA封装TCSPAG-341501（3.37 mm×1.47 mm（典型值）），设计紧凑，厚度轻薄，导通电阻低（Rss(on) 9.9 mΩ（典型值）@VGS＝10 V）。
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25°C）
器件型号 |
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|---|---|---|---|---|
极性 |
N沟道l×2 |
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内部连接方式 |
共漏极 |
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绝对最大额定值 |
源极-源极电压VSSS（V） |
30 |
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栅极-源极电压VGSS（V） |
±20 |
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源极电流（DC）IS（A） [注1] |
9.0 |
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源极电流（DC）IS（A） [注2] |
14.0 |
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电气特性 |
源极-源极击穿电压V(BR)SSS（V） |
IS＝250 μA，VGS＝0 V |
最小值 |
30 |
源极-源极导通电阻RSS(ON)（mΩ） |
IS＝7 A，VGS＝10 V |
典型值 |
9.9 |
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IS＝7 A，VGS＝4.5 V |
典型值 |
13.6 |
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封装 |
名称 |
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尺寸（mm） |
典型值 |
3.37×1.47，厚度＝0.11 |
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库存查询与购买 |
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[注1]器件安装在一块FR4环氧树脂玻璃纤维板（FR4，25 mm×27.5 mm，厚度＝1.6 mm，Cu Pad：18 µm，407 mm2）
[注2]器件安装在一块FR4环氧树脂玻璃纤维板（FR4，25 mm×27.5 mm，厚度＝1.6mm，Cu Pad：70 µm，687.5 mm2）
USB Type-C®充电线路应用
USB功率输出（USB PD）标准专为需要更高功率电源的电子设备而设计，可提供15 W （5 V/3 A）至最大100 W （20 V/5 A）的功率。它具有作用互换功能，允许切换电源侧和受电侧。USB充电设备需要支持双向电源，以便同时处理供电和受电。这款N沟道共漏极MOSFET以较小的贴片面积实现了低导通电阻，避免了大电流引起的发热问题，并支持双向电源。
应用电路示例
电源多路复用器电路
通过将这种共漏极MOSFET与我们的MOSFET驱动电路IC TCK42xG系列结合使用，可以配置具有反向电流阻断功能的负载开关电路，或者配置可在不同输入端之间通过先合后断（MBB）或先断后合（BBM） 进行切换的电源多路复用器电路。我们现发布的参考设计，[使用共漏极MOSFET的电源多路复用器电路]，有助于缩短设计和产品开发周期。
相关信息
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