东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET产品线
产品新闻2023年02月
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开关电源等应用。它们是漏源导通电阻为14.1ｍΩ的“TPH1400CQH”和漏源导通电阻为48mΩ的“TPN4800CQH” 。两款产品均采用表面贴装封装。
与采用前一代工艺的U-MOS VIII-H系列150V产品相比，新产品降低了漏源导通电阻。同时，器件结构的优化改善了漏源导通电阻与输出电荷之间的平衡[1]，并且具有业界领先[2]的低功耗。此外，产品还降低了开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI）。
注：
[1]降低了漏源导通电阻（典型值）×输出电荷（典型值），即开关应用的品质因数。
TPH1400CQH：与现有产品TPH1500CNH（U-MOS VIII-H系列）相比下降约41%。
TPN4800CQH：与现有产品TPN5900CNH（U-MOS VIII-H系列）相比下降约20%
[2]在具有相同额定值的产品中进行比较，根据东芝调查（截至2023年1月）。
应用
- 通信设备电源
- 开关电源（高效DC-DC转换器等）
特性
- 具有业界领先的低功耗特性[2]。
（改善导通电阻与输出电荷之间的平衡） - 低导通电阻：
TPH1400CQH RDS(ON)＝14.1mΩ（最大值）(VGS＝10V）
TPN4800CQH RDS(ON)＝48mΩ（最大值）(VGS＝10V）
- 高结温额定值：Tch（最大值）＝175°C
主要规格
（除非另有说明，Ta=25 °C）
器件型号 |
|||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
系列 |
U-MOSⅩ-H |
||||||
绝对最大额定值 |
漏极-源极电压VDSS（V） |
150 |
|||||
结温Tch（°C） |
175 |
||||||
漏极电流（DC） ID（A） |
Tc＝25°C |
64 |
32 |
18 |
|||
漏极-源极导通电阻 RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝10V |
最大值 | 9.0 |
14.1 |
48 |
||
VGS＝8V |
最大值 | 11 |
17.3 |
59 |
|||
栅极电荷总量（栅极-源极＋栅极-漏极）Qg（nC） |
VGS＝10V |
典型值 | 44 |
31 |
11 |
||
栅极开关电路Qsw（nC） |
典型值 | 11.7 |
8.5 |
3.3 |
|||
输出电荷Qoss（nC） |
典型值 | 87 |
56 |
21 |
|||
输入电容Ciss（pF） |
典型值 | 3500 |
2400 |
800 |
|||
封装名称 |
SOP Advance |
SOP Advance(N) |
SOP Advance(N) |
TSON Advance |
|||
封装尺寸（mm） |
典型值 | 5.0×6.0 |
4.9×6.1 |
4.9×6.1 |
3.3×3.3 |
||
注：
[3]之前发布的产品
引脚分布
应用电路示例
注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
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