MOSFET的电容特性是什么？

C_iss，C_rss和C_oss全部是影响MOSFET开关特性的重要因素。

• C_iss：输入电容（C_iss＝C_gd＋C_gs）
  ⇒栅极-漏极和栅极-源极电容的总和。它会影响延迟时间。C_iss越大，延迟时间越长。
• C_rss：反向传输电容（C_rss＝C_gd）
  ⇒栅极-漏极电容。C_rss越大，漏极电流上升特性越差，这对于MOSFET的损耗非常不利。实现高速驱动需要采用低电容。
• C_oss输出电容（C_oss＝C_gd＋C_ds）
  ⇒栅极-漏极和漏极-源极电容的总和。它会影响轻载关闭特性和损耗。C_oss越大，关断dv／dt越低，这有利于减轻噪声，但是将增加轻载损耗。