绝对最大额定值表中所列的“漏极电流（DC）（硅极限）”定义是什么？

漏极电流（DC）（硅极限）表示单个硅单元的电流承载能力，未考虑封装和安全工作区域的限制。

漏极电流（DC）（硅极限）不是指实际可以施加到产品上的电流。 它表示硅芯片的载流能力，作为与其他产品比较的参考。 换句话说，它表示在不考虑封装和安全工作区域等限制的情况下，作为单个硅单元来看的通电容量。 可应用于产品的漏极电流（DC）受产品封装的载流能力、结温最大值和安全工作区域的限制。

绝对最大额定值（注）（除非另有说明，否则 Ta＝25°C）

特性 符号 额定值 单位
漏极-源极电压 VDSS 30 V
栅极-源极电压 VGSS ±20
漏极电流（DC）（Tc＝25 ºC） ID 150 A
漏极电流（DC）（硅极限） ID 420 A
漏极电流（脉冲）（t＝100µs） IDP 500 A
功耗（Tc＝25ºC） PD 210 W
功耗 PD 3 W
功耗 PD 0.96 W
单脉冲雪崩能量 EAS 393 mJ
单脉冲雪崩电流 IAS 120 A
结温 Tch 175 °C
存储温度 Tstg -55至175 °C

表 1：绝对最大额定值示例

另请参阅下面的产品页面。

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