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东芝电子元件及存储装置株式会社推出采用DPAK表面贴装型封装的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管
2017年10月17日
东芝公司
第二代器件提供更高的正向浪涌电流峰值和品质因数，现支持表面贴装型封装
东京-- 东芝电子元件及存储装置株式会社（TDSC）推出六款采用碳化硅（SiC）制造的肖特基势垒二极管（SBD），以此增强了公司的二极管产品阵容。这些新产品采用表面贴装型封装。批量发货即日启动。
截至目前，东芝电子元件及存储装置株式会社一直专注于采用直插式封装的SiC SBD。东芝电子元件及存储装置株式会社新推出的第一款采用表面贴装型封装（又称DPAK）的SiC SBD满足了客户减小系统尺寸和厚度的需求。
新的SiC SBD集成了东芝的第二代芯片，该芯片在正向浪涌电流峰值(IFSM)和品质因数(VF•Qc*1)方面实现了改进。这些器件提供更强的耐用度和低损耗，有助于提高系统效率和简化散热设计。
东芝电子元件及存储装置株式会社将继续拓展其产品阵容，以帮助提高系统效率并减小通信设备、服务器、逆变器和其他产品的尺寸。
特点
- 高正向浪涌电流峰值：
约为额定电流的7-9.5倍，IF(DC)。
- 低品质因数（VF•Qc）：
- 约比第一代产品低1/3，意味着高效率。
- 表面贴装型封装：
支持自动贴装，帮助减小系统尺寸和厚度。
应用场合
这些新SiC SBD适合一系列广泛的商业和工业应用，包括高效率电源中的PFC电路。
- 消费品和办公产品：大屏幕4K LCD及OLED电视机、投影机、多功能复印机等的电源。
- 工业设备：电信基站、电脑服务器、太阳能微型逆变器等的电源。
- 电路：功率因数校正（PFC）电路、微型逆变器电路、斩波电路（数百瓦特或更高功率的各种电源）。
- 开关设备续流二极管。
主要规格
| 封装 | 绝对最大额定值 | Electrical Characteristics | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 正向直流电流 | 非重复性峰值正向浪涌电流 | 总耗散功率 | 结温 | 正向电压 | 品质因数 | 结电容 | 总电容电荷 | |||
| 符号 | IF(DC) | IFSM |
Ptot |
Tj |
VF |
VF・QC |
Cj |
QC |
||
| 单位 | (A) |
(A) |
(W) |
(℃) |
(V) |
(V･nC) |
(pF) |
(nC) |
||
| 值 | 最大值 | 最大值 | 最大值 | 最大值 | － | 典型值 | 典型值 | 典型值 | ||
| 产品／条件 | － | @ 半正弦波 t=10ms |
Tc=25℃ | － | ＠ IF(DC) |
－ |
@ VR=1V | @VR=400V | ||
| 表面贴装型 DPAK／等效于TO-252 | TRS2P65F | 2 | 19 | 34.0 | 175 | 1.45 （典型值） 1.60 （最大值） |
8.4 | 85 | 5.8 | |
| TRS3P65F | 3 | 26 | 37.5 | 11.7 | 120 | 8.1 | ||||
| TRS4P65F | 4 | 33 | 41.0 | 15.1 | 165 | 10.4 | ||||
| TRS6P65F | 6 | 45 | 48.3 | 21.9 | 230 | 15.1 | ||||
| TRS8P65F | 8 | 58 | 55.5 | 28.6 | 300 | 19.7 | ||||
| TRS10P65F | 10 | 70 | 62.5 | 35.4 | 400 | 24.4 | ||||
注：
[1] Qc：0.1V至400V之间的电容Cj的电荷量。
- 有关东芝电子元件及存储装置株式会社碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容的更多信息，请访问如下链接：
https://toshiba.semicon-storage.com/cn/product/diode/sic.html
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上海：021-6139-3888 / 深圳：0755-3686-0880
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