CMOS逻辑IC基本配置
CMOS逻辑IC的横截面示例
- 在n基底上形成宽的扩散区（p阱）。
- 在p阱上形成n沟道MOSFET。
- 在n基底上形成p沟道MOSFET。
- 具体取决于工艺，在p基底上形成n阱。
- 由于MOSFET的性能和集成密度由栅极宽度决定，所以制造工艺将用栅极宽度来表示。例如，栅极宽度为1.0μm的CMOS工艺称为1.0μm CMOS工艺。
（在本例中，栅极宽度是指#3和#4之间以及#5和#6之间的距离。）
#1.N基底：通常是晶圆基底
#2.P阱：形成n沟道MOSEFT的区域
#3.n沟道MOSFET源极的扩散区
#4.n沟道MOSFET漏极的扩散区
#5.p沟道MOSFET漏极的扩散区
#6.p沟道MOSFET源极的扩散区
#7.p阱偏压扩散区
#8.n基底偏压扩散区
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第Ⅱ章：CMOS逻辑IC基本操作
什么是CMOS逻辑IC?
CMOS逻辑IC基础知识
CMOS逻辑IC基本操作
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