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东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率

2021年3月11日

东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率

中国上海,2021年3月11日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET--- TK065U65ZTK090U65ZTK110U65ZTK155U65ZTK190U65Z,今日开始批量出货。

TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z[1]相比,其导通开关损耗降低了约68%,关断切换损耗降低了约56%[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。

TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容,覆盖了低至65mΩ(最大值)的低导通电阻[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进,以减小设备尺寸并提高效率。

注:
[1]具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
[2]截至2021年3月10日,东芝测得的数值(测试条件:VDD=400V,VGG=+10V/0V,ID=15A,Rg=10Ω,Ta=25℃)。
[3]仅限TK090U65Z
[4]截至2021年3月10日
[5]仅限TK065U65Z

应用

  • 数据中心(服务器电源等)
  • 光伏发电机的功率调节器
  • 不间断电源系统

特性

  • 薄而小的表面贴装封装
  • 采用4引脚封装,可以减少导通和关断的开关损耗
  • 最新[4]的DTMOSVI系列

主要规格

(Ta=25°C)

器件型号

TK065U65Z

TK090U65Z

TK110U65Z

TK155U65Z

TK190U65Z

封装

名称

TOLL

尺寸典型值

(mm)

9.9×11.68,厚度:2.3

绝对最大额定值

漏源电压

VDSS(V)

650

漏极电流

(DC)

 ID(A)

38

30

24

18

15

漏源导通电阻

RDS(ON)最大值(Ω)

@VGS=10V

0.065

0.09

0.11

0.155

0.19

栅极电荷总量

 Qg典型值(nC)

62

47

40

29

25

栅漏电荷

 Qgd典型值(nC)

17

12

11

8

7.1

输入电容

 Ciss典型值(pF)

3650

2780

2250

1635

1370

结壳热阻

 Rth(ch-c)最大值(℃/W)

0.462

0.543

0.657

0.833

0.961

常规系列(DTMOSIV)

器件型号

-

-

-

TK20G60W[6]

TK16G60W[6]

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注:
[6]VDSS=600V,D2PAK封装

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电话:+81-3-3457-3933

中国地区
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上海:021-6090-0610/深圳:0755-3661-5889

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