2021年3月11日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海,2021年3月11日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET--- TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z,今日开始批量出货。
TOLL是一种表面贴装型封装,所需空间比常见的D2PAK封装小27%。它也属于4引脚型封装,能够对栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接,从而减小封装中源极线的电感,进而发挥MOSFET实现高速开关性能,抑制开关时产生的振荡。与东芝现有产品TK090N65Z[1]相比,其导通开关损耗降低了约68%,关断切换损耗降低了约56%[2][3]。新型MOSFET适用于数据中心和光伏功率调节器等工业设备的电源。
TOLL封装与最新[4]DTMOSVI工艺技术相结合扩展了产品阵容,覆盖了低至65mΩ(最大值)的低导通电阻[5]。东芝将继续采用TOLL封装工艺对产品进行改进,以减小设备尺寸并提高效率。
注:
[1]具有等效电压和导通电阻的DTMOSVI系列产品均采用无开尔文连接的TO-247封装工艺
[2]截至2021年3月10日,东芝测得的数值(测试条件:VDD=400V,VGG=+10V/0V,ID=15A,Rg=10Ω,Ta=25℃)。
[3]仅限TK090U65Z
[4]截至2021年3月10日
[5]仅限TK065U65Z
(Ta=25°C)
器件型号 |
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封装 |
名称 |
TOLL |
||||
尺寸典型值 (mm) |
9.9×11.68,厚度:2.3 |
|||||
绝对最大额定值 |
漏源电压 VDSS(V) |
650 |
||||
漏极电流 (DC) ID(A) |
38 |
30 |
24 |
18 |
15 |
|
漏源导通电阻 RDS(ON)最大值(Ω) @VGS=10V |
0.065 |
0.09 |
0.11 |
0.155 |
0.19 |
|
栅极电荷总量 Qg典型值(nC) |
62 |
47 |
40 |
29 |
25 |
|
栅漏电荷 Qgd典型值(nC) |
17 |
12 |
11 |
8 |
7.1 |
|
输入电容 Ciss典型值(pF) |
3650 |
2780 |
2250 |
1635 |
1370 |
|
结壳热阻 Rth(ch-c)最大值(℃/W) |
0.462 |
0.543 |
0.657 |
0.833 |
0.961 |
|
常规系列(DTMOSIV) 器件型号 |
- |
- |
- |
TK20G60W[6] |
TK16G60W[6] |
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库存查询与购买 |
注:
[6]VDSS=600V,D2PAK封装
客户问询:
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电话:+81-3-3457-3933
中国地区
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