ESD保护二极管的典型电气特性是什么？ 动态电阻和钳位电压）

钳位电压（V_C）
ESD保护二极管的钳位电压（V_C）类似齐纳二极管的齐纳电压（V_Z），不过，由于ESD保护二极管用于ESD保护，因此，V_C的额定电流高于V_Z。
V_C是ESD保护二极管特定峰值脉冲电流条件下（IEC 61000-4-5规定的传输线脉冲（TLP）或8/20µs波形）的最大钳制电压。V_C通常在多个峰值脉冲电流点测量。
关于TLP波形的说明，请参阅FAQ“什么是TLP测试?”
什么是TLP测试？

动态电阻（R_DYN）
如图2所示，ESD保护二极管的电流-电压曲线呈非线性上升，在大电流区变为线性。数据表中规定的动态电阻是线性大电流区电流-电压曲线的斜率（即大电流导通串联电阻）。
由于ESD是大电流脉冲，因此，大电流区ESD保护对于ESD保护二极管十分重要。动态电阻越低，大电流钳位电压升幅越低。
以下等式将类似ESD脉冲的传输线脉冲（TLP）波形用于ESD保护二极管，测量两个电流点产生的传输线电压计算动态电阻：
R_DYN＝ΔV_TLP / ΔI_TLP＝（V_TLP2 – V_TLP1）/（I_TLP2 – I_TLP1）

工作峰值反向电压（V_RWM）
虽然ESD保护二极管的钳位电压和动态电阻代表其保护性能，但工作峰值反向电压（V_RWM）可为被保护信号线最大工作电压提供指导。电压低于V_RWM，ESD保护二极管的阻抗非常高。当V_RWM应用于室温下的ESD保护二极管时，只有小于规定I_R的漏电流流过。