偏置电阻内置晶体管（BRT）的导通电压和关断电压分别是多少？

数据表中的导通阈值和关断阈值分别被定义为“输入电压（导通）”（V_IN(ON)）和“输入电压（关断）”（V_IN(OFF)）。

• 输入电压（导通），V_IN(ON)：在T_a＝25°C时获得等于或高于规定值（例如，I_C≥5mA）的集电极电流所需的电压
• 输入电压（关断），V_IN(OFF)：在T_a = 25°C时使集电极电流低于规定值（例如，I_C≤0.1 mA）所需的电压

我们来考虑一下NPN BRT导通的情况。
当NPN BRT关断时，其内部晶体管Q不工作。因此，施加至B端子的输入电压（V_I）被R₁和R₂分压，然后被施加至Q的基极（b）。随着VI的增加，基极-发射极（be）电压（V_be）超过阈值（典型值：0.7V），Q导通。输入电压（导通）是指为提供5mA或更大的集电极电流所需的电压，但概念相同。
因此，电阻比（R₁／R₂）较小的BRT在较低的输入电压（V_IN(ON)）时达到阈值电压。但是，如果电阻比相等，R1值较大的BRT的IB较低。
例如，将提供5mA集电极电流所需的输入电压设为VI1。然后，无论内置电阻如何，内置晶体管的基极电流ib和b-e电压Vbe分别在ib1和Vbe1条件下保持恒定。使用这些变量，Vin可用下列等式表示：
    V_in1 = R₁ * I_b1 + ( 1 + R₁ / R₂ ) * V_be
在特定的阻值比下，仅右侧的第一项“R1*Ib”有变化。因此，可认为Vin1随着R1的增加而增加。（详见图3）

同理，电阻比较低的BRT的输入电压（关断）也较低。但是，相较于电阻比和输入电压（导通）之间的关系，电阻比和输入电压（关断）之间关系的不那么明显，因为输入电压（关断）的测试条件低至0.1mA，因此往往会受器件变化的影响。

尽管PNP BRT的数字符号与NPN BRT的数字符号相反，但以上讨论也适用于PNP BRT。

图2的I_C – V_I(ON)曲线表明，在特定的输入电压下，集电极电流骤变。集电极电流也随着温度升高而减小。确保您留有足够的设计余量。