用于车载设备，具有低导通电阻，提供低功耗的小型MOSFET扩大阵容：SSM6J808R，SSM6K819R
产品新闻2020年1月
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已制造出适用于照明控制开关（比如车载头灯）的两种类型的产品扩大阵容，即：-40V P沟道MOSFET“SSM6J808R”和100V N沟道MOSFET“SSM6K819R”。
通过采用最新工艺[1]，新产品具有行业领先[2]的低导通电阻，有助于降低设备的功耗。通过使用小型TSOP6F封装，与具有相等允许功耗的SOP-8封装相比，其安装占用空间减少了大约70%。这有助于减少安装占用空间。此外，它们符合AEC-Q101标准，可用于各种应用，包括车载应用，比如电源线路保护和车载头灯的照明控制开关。
注：
[1] 截止于2019年10月
[2] 与采用TSOP6F类型的封装和具有相同最大额定值的产品相比，根据截止于2019年10月的东芝调查
特点
- 凭借行业领先[2]的低导通电阻，降低了功耗
RDS（ON）＝48mΩ（最大值）@VGS＝-4.5V（SSM6J808R）
RDS（ON）＝36.4mΩ（最大值）@VGS＝4.5V（SSM6K819R） - 使用TSOP6F封装减少安装占用空间（占用空间比SOP-8减少约70%）
- 符合AEC-Q101
应用
车载设备（头灯、转向灯、日间行车灯等）
产品规格
（@Ta＝25°C）
| 器件型号 | 极性 | 封装 | 最大绝对额定值 | 漏极-源极导通电阻 RDS（ON） 最大值 @|VGS| ＝4.5V （mΩ） |
输入电容 Ciss 典型值 （pF） |
总栅极电荷 Qg 典型值 （nC） |
代 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 名称 | 尺寸典型值 （mm） |
漏极-源极电压 VDSS （V） |
栅极-源极电压 VGSS （V） |
漏极电流 （DC） ID （A） |
功率耗散 PD （W） |
||||||
| SSM6J808R | P-channel | TSOP6F | 2.9×2.8 | -40 | -20／＋10 | -7 | 1.5 | 48 | 1020 | 24.2 | U-MOSVI |
| SSM6K819R | N-channel | 100 | ±20 | 10 | 1.5 | 36.4 | 1110 | 8.5 | U-MOSVIII-H | ||
引脚分布
应用电路示例
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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