用于车载设备,具有低导通电阻,提供低功耗的小型MOSFET扩大阵容:SSM6J808R,SSM6K819R

产品新闻2020年1月

用于车载设备,具有低导通电阻,提供低功耗的小型MOSFET扩大阵容:SSM6J808R,SSM6K819R

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)已制造出适用于照明控制开关(比如车载头灯)的两种类型的产品扩大阵容,即:-40V P沟道MOSFET“SSM6J808R”和100V N沟道MOSFET“SSM6K819R”。
通过采用最新工艺[1],新产品具有行业领先[2]的低导通电阻,有助于降低设备的功耗。通过使用小型TSOP6F封装,与具有相等允许功耗的SOP-8封装相比,其安装占用空间减少了大约70%。这有助于减少安装占用空间。此外,它们符合AEC-Q101标准,可用于各种应用,包括车载应用,比如电源线路保护和车载头灯的照明控制开关。

注:
[1] 截止于2019年10月
[2] 与采用TSOP6F类型的封装和具有相同最大额定值的产品相比,根据截止于2019年10月的东芝调查

特点

  • 凭借行业领先[2]的低导通电阻,降低了功耗
      RDS(ON)=48mΩ(最大值)@VGS=-4.5V(SSM6J808R)
      RDS(ON)=36.4mΩ(最大值)@VGS=4.5V(SSM6K819R)
  • 使用TSOP6F封装减少安装占用空间(占用空间比SOP-8减少约70%)
  • 符合AEC-Q101

应用

车载设备(头灯、转向灯、日间行车灯等)

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 极性 封装 最大绝对额定值 漏极-源极导通电阻
RDS(ON)
最大值
@|VGS|
=4.5V
(mΩ)
输入电容
Ciss
典型值
(pF)
总栅极电荷
Qg
典型值
(nC)
名称 尺寸典型值
(mm)
漏极-源极电压
VDSS
(V)
栅极-源极电压
VGSS
(V)
漏极电流
(DC)
ID
(A)
功率耗散
PD
(W)
SSM6J808R P-channel TSOP6F 2.9×2.8 -40 -20/+10 -7 1.5 48 1020 24.2 U-MOSVI
SSM6K819R N-channel 100 ±20 10 1.5 36.4 1110 8.5 U-MOSVIII-H

引脚分布

SSM6J808R,SSM6K819R引脚分布

应用电路示例

SSM6J808R,SSM6K819R.应用电路示例

本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。

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