什么是总线开关?

总线开关是一种对传输数字信号进行优化的半导体开关。总线开关的基本功能与机械开关相同,采用MOSFET来实现开/关功能(图1)。

图1:机械开关与总线开关的区别
图1:机械开关与总线开关的区别

总线开关只是一个开关:与缓冲器不同,它不能驱动负载。总线开关专为高速数字信号传输而设计,用于导通和关断信号流或在输出端口之间开关。
东芝不仅提供简易型单刀单掷(SPST)开关,还可提供单刀双掷(SPDT)和单刀四掷(SP4T)多路复用器。

用于打开和关闭电源轨的半导体开关大致分为信号开关和负载开关(负载开关IC)。下面介绍信号开关。
信号开关有两种类型:处理数字信号的开关和处理模拟信号的开关。

负载开关IC

总线开关专门用于传输数字信号。对于数字信号,必须以低延时或无延时的方式传输其逻辑状态(包括电压电平)。相反,模拟开关需要信号线性。换言之,低电容和导通电阻对于总线开关很重要,而模拟开关需要在信号传输的电压范围内很低且恒定的导通电阻。
通常,用于开关应用的p沟道和n沟道MOSFET的导通电阻取决于控制电压以及通过开关的信号的电压,如图2和图3所示。为补偿这种电压依赖性,模拟开关由并联的p沟道和n沟道MOSFET组成,如图4所示。这使其导通电阻在工作电压范围内保持恒定,但开关电容会相应增大。
相反,总线开关仅由一个p沟道MOSFET构成(或N沟道MOSFET)组成,如图 5 所示。虽然其导通电阻也取决于电压,但此电压足够低,故不会干扰数字信号传输。.
因此,总线开关是高速数字传输的理想之选。如欲传输模拟信号,请使用具有模拟电气特性的模拟开关。

图2:P沟道MOSFET(SSM3J36TU)R<sub>DS(ON)</sub> – V<sub>GS</sub>曲线
图2:P沟道MOSFET(SSM3J36TU)RDS(ON) – VGS曲线
Fig. 3 R<sub>DS(ON)</sub> – V<sub>GS</sub> curve of N-ch MOSFET (SSM3K36TU)
图3:N沟道MOSFET(SSM3K36TU)RDS(ON) – VGS曲线
图4:模拟开关的等效电路
图4:模拟开关的等效电路
图5:总线开关等效电路
图5:总线开关等效电路

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