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有助于减小汽车设备尺寸的100V N沟道功率MOSFET产品线扩展:XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC

产品新闻2021年7月

有助于减小汽车设备尺寸的100V N沟道功率MOSFET产品封装照片:XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC。

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了三款有助于减小汽车设备尺寸的100V N沟道功率MOSFET产品,进一步扩大了产品线。

新产品“XPW4R10ANB”采用DSOP Advance(WF)L封装,“XPW6R30ANB”采用DSOP Advance(WF)M封装,以及“XPN1300ANC”采用TSON Advance(WF)封装,以上是东芝采用这些封装的首批100V产品。这些封装具有可焊锡侧翼引脚结构,有利于对电路板安装条件的自动视觉检查。并且,它们符合汽车应用可靠性标准AEC-Q101标准。此外,它们还是采用U-MOSVIII-H工艺的低导通电阻产品,有利于降低设备功耗。

适用于各种汽车设备应用,可满足客户的广泛需求。

特性

  • 符合AEC-Q101
  • 低导通电阻:
      RDS(ON)=3.4mΩ(典型值)@VGS=10V(XPW4R10ANB)
      RDS(ON)=5.3mΩ(典型值)@VGS=10V(XPW6R30ANB)
      RDS(ON)=11.2mΩ(典型值)@VGS=10V(XPN1300ANC)
  • 具有可焊锡侧翼引脚结构的贴片式封装,有助于进行电路板安装条件的自动视觉检查。

应用

汽车设备

  • 电机驱动IC
  • 开关电源
  • 负载开关等

产品规格

(除非另有规定,@Ta=25°C)

器件型号 XPW4R10ANB XPW6R30ANB XPN1300ANC
极性 N沟道
绝对
最大
额定值
漏源电压
VDSS(V)
100
漏极电流(DC)
ID(A)
70 45 30
漏极电流(脉冲)
IDP(A)
210 135 60
结温
Tch(°C)
175
电气特性 漏源导通电阻
RDS(ON)最大值
(mΩ)
@VGS
4.5V
24.2
@VGS
6.0V
6.2 9.5
@VGS
10V
4.1 6.3 13.3
热特性 结壳热阻
Zth(ch-c)最大值(°C/W)
0.88 1.13 1.5
封装 DSOP
Advance(WF)L
DSOP
Advance(WF)M
TSON
Advance(WF)
系列 U-MOSVIII-H

内部电路

内部电路

应用电路示例

无刷电机驱动IC
DC-DC转换器电路(非隔离升压型)
负载开关

注:本文所示应用电路仅供参考。
特别是在量产设计阶段,需要进行全面评估。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,如有变更,恕不另行通知。

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