有助于减小汽车设备尺寸的100V N沟道功率MOSFET产品线扩展：XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC
产品新闻2021年7月
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了三款有助于减小汽车设备尺寸的100V N沟道功率MOSFET产品，进一步扩大了产品线。
新产品“XPW4R10ANB”采用DSOP Advance（WF）L封装，“XPW6R30ANB”采用DSOP Advance（WF）M封装，以及“XPN1300ANC”采用TSON Advance（WF）封装，以上是东芝采用这些封装的首批100V产品。这些封装具有可焊锡侧翼引脚结构，有利于对电路板安装条件的自动视觉检查。并且，它们符合汽车应用可靠性标准AEC-Q101标准。此外，它们还是采用U-MOSVIII-H工艺的低导通电阻产品，有利于降低设备功耗。
适用于各种汽车设备应用，可满足客户的广泛需求。
特性
- 符合AEC-Q101
- 低导通电阻：
RDS(ON)＝3.4mΩ（典型值）@VGS＝10V（XPW4R10ANB）
RDS(ON)＝5.3mΩ（典型值）@VGS＝10V（XPW6R30ANB）
RDS(ON)＝11.2mΩ（典型值）@VGS＝10V（XPN1300ANC）
- 具有可焊锡侧翼引脚结构的贴片式封装，有助于进行电路板安装条件的自动视觉检查。
应用
汽车设备
- 电机驱动IC
- 开关电源
- 负载开关等
产品规格
（除非另有规定，@Ta＝25°C）
| 器件型号 | XPW4R10ANB | XPW6R30ANB | XPN1300ANC | ||
|---|---|---|---|---|---|
| 极性 | N沟道 | ||||
| 绝对 最大 额定值 |
漏源电压 VDSS（V） |
100 | |||
| 漏极电流（DC） ID（A） |
70 | 45 | 30 | ||
| 漏极电流（脉冲） IDP（A） |
210 | 135 | 60 | ||
| 结温 Tch（°C） |
175 | ||||
| 电气特性 | 漏源导通电阻 RDS(ON)最大值 （mΩ） |
@VGS＝ 4.5V |
– | – | 24.2 |
| @VGS＝ 6.0V |
6.2 | 9.5 | – | ||
| @VGS＝ 10V |
4.1 | 6.3 | 13.3 | ||
| 热特性 | 结壳热阻 Zth(ch-c)最大值（°C/W） |
0.88 | 1.13 | 1.5 | |
| 封装 | DSOP Advance（WF）L |
DSOP Advance（WF）M |
TSON Advance（WF） |
||
| 系列 | U-MOSVIII-H | ||||
内部电路
应用电路示例
注：本文所示应用电路仅供参考。
特别是在量产设计阶段，需要进行全面评估。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
*本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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