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东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率

2022年3月31日

东芝电子元件及存储装置株式会社

March 31, 2022

Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率

中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。

与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3],从而实现了优异的低损耗特性。此外,开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低,有助于减少开关电源的电磁干扰(EMI)。该产品提供SOP Advance和更为广泛采用的SOP Advance(N)这两种类型的表面贴装封装。

与此同时,东芝还提供各类工具,为开关电源的电路设计提供支持。除了能快速验证电路功能的G0 SPICE模型,现在还提供能精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。

东芝将进一步扩大其MOSFET产品线,通过减少损耗提高设备电源效率,进而帮助其降低功耗。

注:
[1]截至2022年3月的东芝调查。
[2]栅极开关电荷和输出电荷。
[3]与现有产品TPH1500CNH(U-MOSⅧ-H系列)相比,该产品将漏源导通电阻×栅开关电荷提高了大约20%,漏源导通电阻×输出电荷提高了大约28%。

应用

  • 通信设备电源
  • 开关电源(高效率DC-DC转换器等)

特性

  • 优异的低损耗特性
    (在导通电阻和栅开关电荷及输出电荷间取得平衡)
  • 卓越的导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)@VGS=10V
  • 高额定结温:Tch(最大值)=175°C

主要规格

(除非另有说明,@Ta=25℃)

器件型号

TPH9R00CQH

绝对最大额定值

漏源电压VDSS(V)

150

漏极电流(直流)ID(A)

@Tc=25°C

64

结温Tch(°C)

175

电气特性

漏源导通电阻RDS(ON)

最大值(mΩ)

@VGS=10V

9.0

@VGS=8V

11

总栅电荷(栅极-源极+栅极-漏极)

Qg典型值(nC)

44

栅极开关电荷Qsw典型值(nC)

11.7

输出电荷Qoss典型值(nC)

87

输入电容Ciss典型值(pF)

3500

封装

名称

SOP Advance

SOP Advance(N)

尺寸典型值(mm)

5.0×6.0

4.9×6.1

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电话:+81-44-548-2216

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