有助于降低车载设备功耗的SOP Advance（WF）封装的功率MOSFET产品线扩展
产品新闻2022年1月
东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝”) 已开始量产两款采用SOP Advance (WF) 封装的车载N沟道功率MOSFET，扩展其产品线。两款器件型号分别为60V "XPH2R106NC，XPH3R206NC"。
新品符合汽车可靠性标准AEC-Q101。采用可焊锡侧翼引脚结构的表面贴装SOP Advance（WF）封装，有利于目检电路板上的焊接质量情况。
此外，与东芝现有产品相比，新款器件最大导通电阻降低约60%[1]，有助于降低车载设备的功耗。
XPH2R106NC和XPH3R206NC是东芝首度采用SOP Advance（WF）封装的60V产品。
器件支持各种车载应用，满足广泛客户需求。
注：
[1] 新产品XPH2R106NC与现有产品TPCA8084在VGS=10 V条件下对比。
应用
车载设备
- 电机驱动IC
- 开关稳压器
- 负载开关等
特性
- 通过AEC-Q101认证
- 低导通电阻：
RDS(ON)＝1.7mΩ（典型值）@VGS＝10V（XPH2R106NC）
RDS(ON)＝2.6mΩ（典型值）@VGS＝10V（XPH3R206NC） - SOP Advance（WF）封装采用可焊锡侧翼引脚结构，有利于目检电路板上的焊接质量情况。
主要规格
（除非另有说明，@Ta＝25°C）
| 器件型号 | 极性 |
绝对最大额定值 |
电气特性 |
热特性 |
封装 |
||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
漏极-源极电压 VDSS
VDSS （V） |
漏极电流 (DC) ID （A） |
漏极电流 （脉冲） IDP （A） |
结温 Tch （°C） |
漏极-源极导通电阻 RDS(ON) 最大值 （mΩ） |
结壳热阻 Zth(ch-c) 最大值 （°C/W） |
||||
@VGS＝ 4.5V |
@VGS＝ 10V |
||||||||
| @Tc＝ 25°C |
|||||||||
N沟道 |
60 |
110 |
330 |
175 |
4.1 |
2.1 |
0.88 |
SOP Advance(WF) |
|
70 |
210 |
6.2 |
3.2 |
1.13 |
|||||
内部电路
应用电路示例
注：本文所示应用电路仅供参考。
特别是在量产设计阶段，需要进行全面评估。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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