IGBT栅极应以什么电压驱动？

用规格书中与VGE值相等的电压驱动IGBT栅极，作为VCE(sat)和开关特性的测试条件，或者以接近VGE的电压下驱动（详见下表）。增大栅极-发射极电压（VGE）会降低相对于绝对最大额定值的裕度，而减小栅极-发射极电压又会导致VCE(sat)增大（如下所示），从而增加导通损耗。如果栅极-发射极电压过低，则由于IGBT的驱动不充分，系统可能无法顺利运行。通常，我们建议V_GE电平等于或接近15V，除了特殊用途的IGBT（例如，用于闪光灯应用的IGBT）。

另外，当栅极偏置电源电压与IGBT的栅极-发射极电压之间存在电压差时，设计时应保证IGBT的栅极-发射极电压为上述值。

（注：通常，IGBT关断时的栅极-发射极电压设为零。但在某些情况下，栅极-发射极电压会被反向偏置以稳定IGBT的开关操作。）

静态特性（T_a=25℃，除非另有规定）

动态特性（T_a=25℃，除非另有规定）