东芝扩展1700V碳化硅MOSFET模块的产品线，有助于工业设备的高效化和小型化
产品新闻2024年3月
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）扩大其产品线，开始量产第3代碳化硅（SiC）1700 V、额定漏极电流（DC）为250 A且适用于工业设备的碳化硅MOSFET模块“MG250V2YMS3”。
新产品MG250V2YMS3的漏源导通电压（检测端子）低至0.8 V（典型值）[1]，可实现低导通损耗。它还具有低开关损耗，其中开通损耗低至18 mJ（典型值）[2]，关断损耗低至11 mJ（典型值）[2]。这有助于减小设备的功率损耗以及散热装置的尺寸。
MG250V2YMS3的杂散电感低至12 nH（典型值），可执行高速开关操作。此外，其可在开关操作时抑制浪涌电压。因此，其可用于高频隔离DC-DC转换器。
东芝2-153A1A封装的碳化硅MOSFET模块的产品线由现有的四款产品组成，分别为MG250YD2YMS3（2200 V/250 A）、MG400V2YMS3（1700 V/400 A）和MG600Q2YMS3（1200 V/600 A），包括新产品。其产品选型范围更广。
未来东芝将继续满足对高效率和减小工业设备尺寸的需求。
注：
[1]测试条件：ID＝250 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C
[2]测试条件：VDD＝900 V，ID＝250 A，Tch＝150 °C
应用
工业设备
- 铁路车辆的逆变器和转换器
- 铁路车辆的辅助电源
- 可再生能源发电系统
- 工业设备的电机控制设备
- 高频DC-DC转换器等
特性
- 低漏极-源极导通电压（检测端子）：
VDS(on)sense＝0.8 V（典型值）（ID＝250 A, VGS＝+20 V, Tch＝25 °C）
- 低开通损耗：
Eon＝18 mJ（典型值）（VDD＝900 V, ID＝250 A, Tch＝150 °C）
- 低关断损耗：
Eoff＝11 mJ（典型值）（VDD＝900 V, ID＝250 A, Tch＝150 °C）
- 低杂散电感：
LsPN＝12 nH（典型值）
主要规格
（除非另有规定，Tc＝25 °C）
| 器件型号 | MG250V2YMS3 | |||
|---|---|---|---|---|
| 东芝封装名称 | 2-153A1A | |||
| 绝对最大额定值 | 漏极-源极电压VDSS（V） | 1700 | ||
| 栅极-源极电压VGSS（V） | +25 / -10 | |||
| 漏极电流（DC）ID（A） | 250 | |||
| 漏极电流（脉冲）IDP（A） | 500 | |||
| 结温Tch（°C） | 150 | |||
| 绝缘电压Visol（Vrms） | 4000 | |||
| 电气特性 |
漏极-源极导通电压（检测端子） VDS(on)sense （V） |
ID＝250 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C | 典型值 | 0.8 |
源极-漏极导通电压（检测端子） VSD(on)sense（V） |
IS＝250 A，VGS＝+20 V，Tch＝25 °C | 典型值 | 0.8 | |
VSD(off)sense（V） |
IS＝250 A，VGS＝-6 V，Tch＝25 °C | 典型值 | 1.6 | |
| 开通损耗 Eon（mJ） |
VDD＝900 V，ID＝250 A，Tch＝150 °C | 典型值 | 18 | |
关断损耗 Eoff（mJ） |
典型值 | 11 | ||
| 杂散电感LsPN（nH） | 典型值 | 12 | ||
内部电路
应用电路示例
注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
*本文提及的公司名称、产品名称和服务名称可能是其各自公司的商标。
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