东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET，适用于快充设备
2023年5月18日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
锂离子电池组依靠高度稳定的保护电路来减少充放电时产生的热量，以提高安全性。这些电路必须具有低功耗和高密度封装的特性，同时要求MOSFET小巧纤薄，且具有更低的导通电阻。
SSM14N956L采用东芝专用的微加工工艺，已经发布的SSM10N954L也采用该技术。凭借业界领先[1]的低导通电阻特性实现了低功耗，而业界领先[1]的低栅源漏电流特性又保证了低待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种新型的小巧纤薄的封装TCSPED-302701（2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值））。
东芝将继续开发用于锂离子电池组供电设备中的保护电路的MOSFET产品。
应用
- 家用电器采用锂离子电池组的消费类电子产品以及办公和个人设备，包括智能手机、平板电脑、充电宝、可穿戴设备、游戏控制器、电动牙刷、迷你数码相机、数码单反相机等。
特性
- 业界领先的[1]低导通电阻：RSS(ON)＝1.1mΩ（典型值）@VGS＝3.8V
- 业界领先的[1]低栅源漏电流：IGSS＝±1μA（最大值）@VGS＝±8V
- 小型化超薄TCSPED-302701封装：2.74mm×3.0mm，厚度＝0.085mm（典型值）
- 共漏极结构，可方便地用于电池保护电路
注：
[1]：截至2023年5月的东芝调查，与相同额定值的产品进行比较。
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25℃）
| 器件型号 | SSM14N956L | SSM10N954L[2] | ||
|---|---|---|---|---|
| 配置 | N沟道共漏极 | |||
| 绝对最大额定值 | 源极-源极电压VSSS（V） | 12 | ||
| 栅极-源极电压VGSS（V） | ±8 | |||
| 源极电流（ DC）IS（A） | 20.0 | 13.5 | ||
| 电气特性 | 栅源漏电流IGSS最大值（μA） | @VGS＝±8V | ±1 | |
源极-源极导通电阻RSS(ON) 典型值（mΩ） |
@VGS＝4.5V | 1.00 | 2.1 | |
| @VGS＝3.8V | 1.10 | 2.2 | ||
| @VGS＝3.1V | 1.25 | 2.4 | ||
| @VGS＝2.5V | 1.60 | 3.1 | ||
| 封装 | 名称 | TCSPED-302701 | TCSPAC-153001 | |
| 尺寸典型值（mm） | 2.74×3，厚度＝0.085 | 1.49×2.98，厚度＝0.11 | ||
| 库存查询与购买 |  |
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注：
[2]已发布的产品。
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SSM14N956L
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SSM14N956L
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