图1-2显示了运算放大器的简化等效电路。如您所见,运算放大器由多个MOSFET组成。为使CMOS运算放大器正常工作,这些MOSFET必须在饱和区工作。图1-3显示了MOSFET的饱和区。
MOSFET在该区域内的工作方式如下:
运算放大器各部分的功能如下:
在介绍运算放大器的操作之前,我们先讨论电流镜中Qn1的漏极电压。Qn1的漏源电压(VDS_n1)与漏极-栅极电压(VDG_n1)相等。图1-4显示了满足VDS = VDG的条件。由于生成的曲线看似二极管的IF-VF曲线,故Qn1的连接称为二极管连接。在图1-4中,漏极电流较大,因为它是具有大沟道面积的分立N沟道MOSFET的ID-VDS曲线。IC的内部MOSFET的漏极电流比该电流低两至三个数量级。
如图1-4所示,当漏极电流超过某点(当VDS为1.5V或更高时)后,漏极电流的细微变化几乎不会影响漏源电压。
接下来,我们来看下电流源的工作原理。首先,我们来考察一个无电流源的电路,如图1-6所示。后续共源放大器与先前的运算放大器相同。
对差分输入端VIN(+)和VIN(-)施加相等的电压(VDD – VIN)。故VSG = VIN。此时,当漏极电流(ID_p1)导通时,Qp1的漏极电压稳定在VSD_p1+VDS_n1=VDD的电压处。由于ID_p1被电流镜复制,由Qp2和Qn1组成的电路与其具有相同的电压关系。
假设施加于VIN(+)和VIN(-)的电压升高了ΔV,增至(VDD – VIN + ΔV)。由于图1-6的电路有一个电流镜,故等量电流流向差分输入对。但如果没有电流源,流向差分输入对的电流会等量减少。因此,连接至共源极放大器的Qn2的漏源电压也相应降低。
相当于降低了共源放大器Qn3的栅极-源极电压(VGS_n3)。共源放大器有一个电流源(Qp4),该电流源使漏源电压(VDS_n3)升高以抵抗VGS_n3的下降,从而保持电流恒定。换言之,即使VIN(+)和VIN(-)输入端具有相同电压和相位,输出电压(VOUT)也会升高。当数据表中所示范围内的共模输入(相同输入电压)施加于VIN(+)和VIN(-)时,运算放大器必须具有恒定输出。图1-6所示的电路无法满足此要求。
接下来,我们来看下带有恒流源(Qp3)的电路(图1-2所示的电路)。例如,假设施加于VIN(-)和VIN(-)的输入电压升高了ΔV,增至(VDD – VIN + ΔV)。由于此电路有一个电流源,故流入差分输入对的电流保持不变。因此,Qn1的漏源电压(VDS_n3)保持不变。同理,VDS_n2保持不变。因此,对于共模输入电压,输出电压均保持恒定。
(Qp3的VSD_p3补偿ΔV。由于电流源的源漏电压发生变化,故流向差分输入对的电流也会相应变化。由于电流源的漏源电压发生变化,故漏极电流(ID)也相应变化。但ID仅随VDS略微变化。故ID无显著变化。)
因此,当共模输入电压施加于VIN(+)和VIN(-)时,电流源的作用就是保持输出电压恒定。
接下来,我们来看下对VIN(+)和VIN(-)施加不同电压的情况。
最终,Qn2的漏极电压(VD_n2)从初始电压开始升高。
增加的VD_n2被转移至后续的共源放大器。
共源放大器的VGS_n3升高,导致ID_n3增大。但ID_n3的增大受到电流源的Qp4的限制。由于VGS_n3的升高不会导致ID_n3增大,故Qn3的漏源电压(VDS_n3)降低。
这意味着当VIN(-)电压升高时,VOUT电压会降低。