绝缘栅双极晶体管（IGBT）

IGBT是一种适合于大电流控制的器件，它的前级有电压驱动MOSFET，后级有允许大电流流动的晶体管。

IGBT：绝缘栅双极晶体管

[等效电路和操作细节]

• IGBT的等效电路如图3-13（b）所示。设置RBE值使NPN Tr不会导通。
• 对N沟道MOSFET栅极施加导通信号，开启导通状态。
• 电流从发射极流向PNP Tr的基部。这种基极电流可以降低N沟道MOSFET。（电导率调制效应）
  

[与MOSFET比较]

• 栅极驱动操作与N沟道MOSFET相同。
• 在导通状态下，N沟道MOS的导通电阻降低可以实现大电流。
• 从PNP Tr发射极到基部的电压降发生在整个电流区域（加起来大约1.0V作为导通电压）。
  

• 产品
  • IGBT
    
  • IEGT（PPI）
• 应用说明
  • MOSFET／双极晶体管
  • 应用说明（高功率器件）
• FAQ
  • MOSFET／双极晶体管