绝缘栅双极晶体管（IGBT）

下载“第Ⅲ章：晶体管” (PDF:2.0MB) 

IGBT是一种适合于大电流控制的器件，它的前级有电压驱动MOSFET，后级有允许大电流流动的晶体管。

IGBT：绝缘栅双极晶体管

[等效电路和操作细节]

  • IGBT的等效电路如图3-13（b）所示。设置RBE值使NPN Tr不会导通。
  • 对N沟道MOSFET栅极施加导通信号，开启导通状态。
  • 电流从发射极流向PNP Tr的基部。这种基极电流可以降低N沟道MOSFET。（电导率调制效应）

[与MOSFET比较]

  • 栅极驱动操作与N沟道MOSFET相同。
  • 在导通状态下，N沟道MOS的导通电阻降低可以实现大电流。
  • 从PNP Tr发射极到基部的电压降发生在整个电流区域（加起来大约1.0V作为导通电压）。
IGBT的符号
图3-13（a）IGBT的符号
IGBT的内部等效电路
图3-13（b）IGBT的内部等效电路

第Ⅲ章：晶体管

晶体管的类型
详细信息
双极晶体管（BJT）
详细信息
内置偏置电阻型晶体管（BRT）
详细信息
结型场效应晶体管（JFET）
详细信息
金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）
详细信息
BJT和MOSFET的差异
详细信息
MOSFET的结构和工作原理
详细信息
MOSFET性能改进：RDS(ON)的决定因素
详细信息
MOSFET性能改进：低RDS(ON)的解决方案
详细信息
MOSFET性能改进：超级结MOSFET（SJ-MOS）
详细信息
按结构分类的MOSFET特性摘要
详细信息
MOSFET的性能：漏极电流和功耗
详细信息
MOSFET的性能：雪崩能力
详细信息
MOSFET的性能：电容的特性
详细信息
MOSFET的性能：安全工作区域（或安全操作区域）
详细信息
绝缘栅双极晶体管（IGBT）的工作原理
详细信息
IGBT的性能改进：垂直设计的发展
详细信息
什么是RC-IGBT和IEGT?
详细信息
IGBT的应用
详细信息
IGBT和MOSFET的正向特性比较
详细信息
晶体管的结构比较
详细信息
MOSFET的数据表：最大额定值
详细信息
MOSFET的数据表：电气特性
详细信息
MOSFET的数据表：电容和开关特性
详细信息
MOSFET的数据表：体二极管
详细信息

相关信息

返回分立半导体器件页面

在新窗口打开