东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线，助力电源效率的提高
产品新闻2022年2月
东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝”)在其DTMOSVI系列新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET中推出四款新产品——“TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z”，它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源。
产品线扩展了器件的封装、漏源导通电阻和栅漏电荷。
与上一代DTMOSIV-H系列相比，新一代DTMOSVI系列“漏源导通电阻×栅漏电荷”的品质因数降低约40%[1]，开关电源效率提高约0.36%[2]。
为满足市场需求，东芝将继续扩大其产品线并帮助提高电源效率。
注：
[1]与上一代DTMOSIV-H系列相比
[2]截至2022年2月，东芝测量的数值（采用输出功率为2500W的PFC电路时，TO-247封装的新系列TK040N65Z与上一代TK62N60X相比）
应用
工业设备开关电源
- 数据中心 (服务器电源等)
- 光伏发电机功率调节器
- 不间断电源系统
特性
- “漏源导通电阻×栅漏电荷”的值降低约40%[1]，有助于提高开关电源的效率。
- 直插式TO-220封装
主要规格
（@Ta＝25°C）
注：
[3]DTMOSIV系列
内部电路
应用电路示例
注：
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
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