东芝的新款150V N沟道功率MOSFET具有业界领先的低导通电阻和优化的反向恢复特性,有助于提高电源效率

2023年3月30日

东芝电子元件及存储装置株式会社

Toshiba Releases 150V N-channel Power MOSFET with Industry-leading<sup>[1]</sup> Low On-resistance and Improved Reverse Recovery Characteristics that Help Increase the Efficiency of Power Supplies

中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”,其采用最新一代[1]U-MOX-H工艺,可用于工业设备开关电源,涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。

TPH9R00CQ5具有行业领先的[2]9.0mΩ(最大值)的低漏源导通电阻,与东芝现有产品“TPH1500CNH1[3]”相比降低了约42%。与此同时,与东芝现有产品“TPH9R00CQH4[4]”相比,反向恢复电荷减少约74%,反向恢复[5]时间缩短约44%,上述指标是体现同步整流应用性能的两大关键反向恢复指标。新产品面向同步整流应用[6],降低了开关电源的功率损耗,有助于提高系统效率。此外,与TPH9R00CQH相比,新产品减少了开关过程中产生的尖峰电压,有助于降低电源的EMI。
该产品采用业界广泛认可的表面贴装型SOP Advance(N)封装。

此外,东芝还提供支持开关电源电路设计的相关工具。除能够迅速验证电路功能的G0 SPICE模型外,现在还提供能够准确地再现电路瞬态特性的高精度G2 SPICE模型

东芝利用该产品还开发出了“ 用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”与 “采用MOSFET的3相多电平逆变器”参考设计。即日起可访问东芝官网获取上述参考设计。除此以外,新产品还可用于已发布的 “1kW全桥DC-DC转换器”参考设计。

东芝将继续扩大自身的功率MOSFET产品线,以降低功率损耗、提高电源效率,并助力改善设备效率。

应用

  • 工业设备电源,如用于数据中心和通信基站的电源。
  • 开关电源(高效率DC-DC转换器等))

特性

  • 业界领先的[2]低导通电阻:RDS(ON)=9.0mΩ(最大值)(VGS=10V)
  • 业界领先的[2]低反向恢复电荷:Qrr=34nC(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
  • 业界领先的[2]快速反向恢复时间::trr=40ns(典型值)(-dIDR/dt=100A/μs)
  • 高结温额定值:Tch(最大值)=175℃

注:
[1]截至2023年3月,与其他150V产品的对比。东芝调查。
[2]截至2023年3月的数据。
[3]采用当前一代U-MOSVIII-H工艺的150V产品。
[4]产品采用与TPH9R00CQ5相同的生产工艺,并具有相同的电压和导通电阻。
[5]MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作。
[6]] 如果新产品用于不执行反向恢复操作的电路,则功耗相当于TPH9R00CQH的水平。

主要规格

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号 TPH9R00CQ5
绝对最大额定值 漏极-源极电压VDSS(V) 150
漏极电流(DC)ID (A) Tc=25°C 64
结温Tch(°C) 175
电气特性

漏极-源极导通电阻

RDS(ON)最大值(mΩ)

VGS=10V 9.0
VGS=8V 11.0
总栅极电荷Qg典型值(nC) 44
栅极开关电荷QSW典型值(nC) 11.7
输出电荷Qoss典型值(nC)
87
输入电容Ciss典型值(pF) 3500
反向恢复时间trr典型值(ns)
-dIDR/dt=100A/μs 40
反向恢复电荷Qrr典型值(ns)
34
封装 名称 SOP Advance(N)
尺寸典型值(mm) 4.9×6.1×1.0
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参考设计:“用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器”

用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器
用于通信设备的1kW非隔离Buck-Boost DC-DC转换器

参考设计:“采用MOSFET的3相多电平逆变器”

采用MOSFET的3相多电平逆变器
采用MOSFET的3相多电平逆变器

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TPH9R00CQ5

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