2020年03月10日
东芝电子元件及存储装置株式会社
中国上海,2020年3月10日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出“TLP5231”,这是一款面向中大电流绝缘栅双极型晶体管(IGBT)和MOSFET的预驱动光耦,适用于工业逆变器和光伏(PV)的功率调节系统。这款全新的预驱动光耦内置多种功能[1],其中包括通过监控集电极电压实现过流检测。产品于今日起开始出货。
新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器,来控制中大电流IGBT和MOSFET。
目前现有产品[2]需要使用双极晶体管构成的缓冲电路来实现电流放大,这会在工作中消耗基极电流。新产品能够使用外部互补MOSFET缓冲器,仅在缓冲器MOSFET的栅极充电或放电时消耗电流,有助于降低功耗。
通过改变外部互补MOSFET缓冲器的大小,TLP5231能够为各种IGBT和MOSFET提供所需的栅极电流。TLP5231、MOSFET缓冲器以及IGBT/MOSFET的配置可用作平台来满足系统的功率需求,从而简化设计。
其他功能包括:在检测到VCE(sat)过流后使用另一个外部N沟道MOSFET控制“栅极软关断时间”;另外,除了能通过监控集电极电压检测到VCE(sat)之外,还有UVLO[3]检测,将任意故障信号输出到原边。以上这些现有产品[2]不具备的新特性,能够让TLP5231帮助用户更轻松地设计栅极驱动电路。
(除非另有说明,@Ta=-40至110℃,典型值@Ta=25℃)
器件型号 |
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绝对最大额定值 |
峰值高电平输出电流IOPH(A) |
-2.5 |
峰值低电平输出电流IOPL(A) |
+2.5 |
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电气特性 |
VOUTP高电平输出电流IOUTPH最大值(A) |
-1.0 |
VOUTP低电平输出电流IOUTPL最小值(A) |
1.0 |
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VOUTN高电平输出电流IOUTNH最大值(A) |
-1.0 |
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VOUTN低电平输出电流IOUTNL最小值(A) |
1.0 |
|
高电平供电电流(VCC2) ICC2H最大值(mA) |
10.2 |
|
低电平供电电流(VCC2) ICC2L最大值(mA) |
10.2 |
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高电平供电电流(VEE) IEEH最小值(mA) |
-9.2 |
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低电平供电电流(VEE) IEEL最小值(mA) |
-9.2 |
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阈值输入电流(H/L)IFHL最大值(mA) |
3.5 |
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建议工作条件 |
总输出供电电压(VCC2-VEE)(V) |
21.5至30 |
负输出供电电压(VE-VEE)(V) |
-15至-6.5 |
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正输出供电电压(VCC2-VE)(V) |
15至23.5 |
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开关特性
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传输延迟时间(L/H) tpLH(ns) |
100至300 |
传输延迟时间(H/L) tpHL(ns) |
100至300 |
|
传输延迟偏差(器件到器件) tpsk(ns) |
-200至200 |
|
高电平共模瞬态抑制 CMH最小值(kV/μs) |
±25 |
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高电平共模瞬态抑制 CML最小值(kV/μs) |
±25 |
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功能 |
保护功能 |
IGBT VCE(sat)检测、 UVLO[4] |
反馈(故障):在检测到VCE(sat) 或UVLO(集电极开路输出)时激活 |
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隔离特性 (@Ta=25°C) |
隔离电压BVS最小值(Vrms) |
5000 |
机械参数 |
最小电气间隙(mm) |
8.0 |
最小爬电距离(mm) |
8.0 |
|
内部最小隔离厚度(mm) |
0.4 |
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库存查询与购买 |
注:
[1] 栅极信号软关断、故障反馈功能
[2] TLP5214、TLP5214A
[3] UVLO:欠压锁定
[4] 常见VE
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