是什么驱动晶体管：电流还是电压？

大致而言，双极晶体管会放大进入基极的小电流以产生集电极大电流。由于集电极电流是通过基极电流控制的，因此它是一个电流驱动型器件。电流增益随集电极-发射极电压（V_CE）的变化而变化。在右图所示的放大工作区域内，双极晶体管提供了一个称为直流电流增益（h_FE）的增益。在该区域内，集电极电流几乎保持恒定，与集电极-发射极电压（V_CE）无关。另一方面，在饱和区中，双极晶体管的直流电流增益仅为10至20，其中集电极电流随V_CE的变化而大幅变化。

场效应晶体管（FET）控制电流通路（称为“沟道”）的宽度，该沟道由施加在栅极和源极端子的电压产生。沟道宽度的变化会导致漏源电阻发生变化。因此，FET是一种电压驱动器件。

IGBT是在前级的MOSFET（一种场效应管（FET））与和后级的双极晶体管组合在一起的一种器件。IGBT导通时，其工作原理与FET相同。因此，IGBT也是一种电压驱动器件。