当使用MOSFET作为负载开关时,如何减少出现的浪涌电流?

增加连接到MOSFE外部的栅极电阻Rgate可以减缓开关速度并抑制浪涌电流。

图 1:浪涌电流(Rush current)的说明
图 1:浪涌电流(Rush current)的说明

通常,用于稳定电压的大电容器Co将连接到MOSFET的输出侧。
当MOSFET导通时,浪涌电流IRUSH流至该电容器进行充电。
通过增加串联栅极电阻Rgate以降低该浪涌电流。
当栅极电阻增加时,上升的输出电流变得不那么明显。
但是,如果增加栅极电阻会影响开关速度和损耗,则有必要根据您的使用条件选择合适的栅极电阻。有关如何确定栅极电阻的详细信息,请参阅以下应用说明。

文档:MOSFET Gate Drive Circuit Application Note (PDF:1.56MB)

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