偏置电阻内置晶体管（BRT）如何工作？

下文介绍了当向“关断”状态的B端子施加电压（V_I）以使BRT在饱和区内导通时BRT的工作方式。
V_I电压逐渐增大。

1.内部晶体管（Q）关断。
当在Q关断状态下向B端子施加V_I时，电流仅流过内置偏置电阻R₁和R₂。
因此，由R₁和R₂分压后的电压被施加到Q的基极（b）（V_b = R₂ / ( R₁ + R₂ )）。

2.Q导通。
当V_b达到约0.5V时，基极电流（I_b）开始流动，使Q导通，如I_B-V_BE曲线所示（图2）。这导致集电极电流（即I_b乘以h_FE）流动。此时Q仍在放大区内，而不在饱和区中。因此，与通用型晶体管（例如，2SC2712）的h_FE一样，其h_FE为120至700。
随着V_I进一步增大，V_be随之增大，导致I_C急剧上升，如图2所示。
然而，实际上基极电压（V_b）几乎不会随V_I的增大而增大。如图3所示，在25°C的环境温度下V_BE仅在0.6V至1.0V之间变化。因此，在简化计算中基极电压通常被视为恒定不变。这里假设V_BE＝0.7V。
I_b表示为：
    I_b＝I_B–I_R2＝（V_I–V_be）/R₁–V_be/R₂
随着I_b的上升，集电极电流（I_C）按比例上升。
假设图1的基本BRT电路中的集电极-发射极（C-E）电压为V_CE，则：
    V_CE＝V_CC–R_L*I_C
随着I_C的进一步上升，V_CE减小，导致BRT进入饱和区。

3.Q进入饱和区。
随着V_CE减小，晶体管（Q）进入饱和区。
（饱和区尚无明确的定义。东芝将h_FE≤20的区域视为饱和区^*。）
I_b的上升导致I_C上升，从而导致R_L上的电压降增大，因此V_CE接近GND电平。
即Q跟踪#2至#3的I_C–V_CE曲线（图4）。最终，V_CE几乎为零。
图5显示了实际BRT的V_CE(sat)–I_C曲线。

假设饱和区中的集电极-发射极电压为V_CE(sat)，则：
    I_C＝（V_CC–V_CE(sat)）/R_L＝恒定电流
随着V_I的增大，I_B上升，但I_C几乎恒定不变。因此，h_FE随着V_I的增大而降低。