有助于降低车载设备功耗的小型表面贴装的40V／60V N沟道功率MOSFET：XPN3R804NC，XPN7R104NC，XPN6R706NC，XPN12006NC
产品新闻2020年05月
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已经推出四款采用小型贴片式封装TSON Advance（WF），应用于车载器件的全新N沟道功率MOSFET。这些产品是我们新推出的采用TSON-Advance（WF）封装的低导通电阻N沟道MOSFET，它们分别是40 V “XPN3R804NC”和“XPN7R104NC”，60 V “XPN6R706NC”和“XPN12006NC”。
新产品采用带有可焊锡侧翼引脚结构的TSON Advance（WF）封装，便于对电路板安装条件进行自动目视检查。此外，采用东芝“U-MOSVIII-H”工艺的低导通电阻产品有助于设备节能。所以我们能够用它代替具有相同封装尺寸的传统东芝产品。性能改进还有利于通过更换类似的5×6mm尺寸的产品，以促进ECU的小型化。
特性
- 符合AEC-Q101
- 低导通电阻：
RDS(ON)＝3.8mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN3R804NC）
RDS(ON)＝7.1mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN7R104NC）
RDS(ON)＝6.7mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN6R706NC）
RDS(ON)＝12.0mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN12006NC） - 带有可焊锡侧翼端子结构的小型贴片式封装TSON Advance（WF）：
3.3×3.6 mm（典型值）
应用
车载设备
- 开关稳压器
- DC-DC转化器
- 电机驱动器
产品规格
（除非另有规定，@Ta＝25 °C）
| 器件型号 | XPN3R804NC | XPN7R104NC | XPN6R706NC | XPN12006NC | ||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 极性 | N沟道 | |||||
| 封装 | 名称 | TSON Advance（WF） | ||||
| 尺寸典型值（mm） | 3.3×3.6 | |||||
| 最大绝对额定值 | 漏极-源极电压VDSS （V） | 40 | 40 | 60 | 60 | |
| 漏极电流（DC）ID （A） | 40 | 20 | 40 | 20 | ||
| 漏极电流（脉冲）IDP （A） | 80 | 60 | 80 | 60 | ||
| 结温Tch（°C） | 175 | |||||
| 热特性 | 通道到外壳的热阻抗 Zth(ch-c)最大值（°C/W） |
@Tc= 25°C |
1.5 | 2.3 | 1.5 | 2.3 |
| 电气特性 | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON)最大值（mΩ） |
@VGS= 4.5V |
7.8 | 14.2 | 13.3 | 23.7 |
| @VGS= 10V |
3.8 | 7.1 | 6.7 | 12.0 | ||
| 系列 | U-MOSVIII-H | |||||
内部电路
应用电路示例
注：本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不表示授予任何工业产权许可。
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
在新窗口打开