工作原理

图A显示了传统IGBT的截面结构和N区载流子分布。N区载流子浓度从集电极到发射极呈单调下降趋势。为了提高IGBT的集电极-发射极电压，需要在集电极和发射极之间设置一个深N区。但是，深N区的载流子浓度较低。随之导致的电阻增加将加大压降，进而提高导通状态电压。

图B显示了IEGT的截面结构和载流子分布。IEGT的结构类似于IGBT，但栅极结构比IGBT的更深更宽。该结构增加了栅极-发射极电阻，阻止载流子通过发射极端。这样就增加了N区发射极附近的载流子浓度。因为这一现象具有载流子注入和累积的相同效应，所以称其为注入增强（IE）效应。该栅极结构结构有助于减小压降，甚至是在高额定值的集电极-发射极电压条件下。