SBD的正向电压（VF）是什么？

根据所使用的金属，SBD的额定正向电压（VF）介于0.4 V至0.7 V之间，低于pn结二极管的正向电压。然而，硅肖特基势垒二极管的耐压为20V至150 V，不高于pn结二极管的耐压。

东芝还提供采用宽禁带（WBG）半导体（SiC）制造的SBD，该半导体具有高击穿电场，可承受高达650V的电压。
图1比较了无偏状态下pn结二极管和SBD的能带图。pn结二极管的正向电压（VF）取决于p型与n型半导体之间的势能差，而SBD的正向电压（VF）取决于金属的功函数与硅等材质的n型半导体（即肖特基势垒）的电子亲和力之差。因此，可通过使用功函数接近n型半导体（例如，硅）电子亲和力的金属，构建具有低VF的SBD。图2显示了VF的差异，具体取决于所使用的金属。

图1：pn结二极管和SBD的能带图（无偏置状态）
图1：pn结二极管和SBD的能带图（无偏置状态）
图2：I-V特性（不同金属的特性）
图2：I-V特性（不同金属的特性）

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