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东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化

2021年2月2日

东芝电子元件及存储装置株式会社

Toshiba Launches Silicon Carbide MOSFET Module that Contributes to Higher Efficiency and Miniaturization of Industrial Equipment

中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅(SiC)MOSFET芯片(具有3300V和800A特征)的模块--- “MG800FXF2YMS3” ,该产品将于2021年5月投入量产。

为达到175℃的通道温度,该产品采用具有银烧结内部键合技术和高贴装兼容性的iXPLV(智能柔性封装低电压)封装。这款模块可充分满足轨道车辆和可再生能源发电系统等工业应用对高效紧凑设备的需求。

应用

  • 用于轨道车辆的逆变器和转换器
  • 可再生能源发电系统
  • 工业电机控制设备

特性

  • 漏源额定电压:VDSS=3300V
  • 漏极额定电流: ID=800A双通道
  • 宽通道温度范围:Tch=175°C
  • 低损耗:
    Eon=250mJ(典型值)
    Eoff=240mJ(典型值)
    VDS(on)sense=1.6V(典型值)
  • 低杂散电感:Ls=12nH(典型值)
  • 高功率密度的小型iXPLV封装

主要规格

(除非另有说明,@Tc=25℃)

器件型号

MG800FXF2YMS3

封装

iXPLV

额定最大绝对值

漏源电压VDSS(V)

3300

栅源电压VGSS(V)

+25/-10

漏极电流(DC)ID(A)

800

漏极电流(脉冲)IDP(A)

1600

通道温度Tch(°C)

175

隔离电压Visol(Vrms)

6000

电气特性

 

漏源电压导通电压(感应)
VDS(on)sense典型值(V)

VGS=+20V时,ID=800A

1.6

源漏电压导通电压(感应)
VSD(on)sense典型值(V)

VGS=+20V时,IS=800A

1.5

源漏电压关断电压(感应)
VSD(off)sense典型值(V)

VGS=-6V时,IS=800A

2.3

杂散电感模块LSPN典型值(nH)

12

导通开关损耗
Eon典型值(mJ)

VDD=1800V时,ID=800A,Tch=150°C

250

关断开关损耗
Eoff典型值(mJ)

VDD=1800V时,ID=800A,Tch=150°C

240

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MG800FXF2YMS3

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SiC Power Devices

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