CMOS逻辑IC基本操作

当MOSFET的栅极-源极电压超过某个电压（阈值电压，|V_th|）时，漏极-源极电阻减小，使得MOSFET导通。这种漏极-源极电阻称为导通电阻。
n沟道和p沟道MOSFET的栅极和源极之间施加的电压方向不同。下图显示了MOSFET导通的条件。

N沟道MOSFET：当栅极电压比源极电压高|Vth|时，n沟道MOSFET导通。

P沟道MOSFET：当栅极电压比源极电压低|Vth|时，p沟道MOSFET导通。

下图显示了反相器，它是CMOS逻辑IC的基本组成部分。
当V_IN处于V_CC或GND电平时，p沟道或n沟道MOSFET均关断。因此，V_CC和GND之间只有很小的电流（I_CC）流过。当输入处于稳定状态时（处于V_CC或GND电平），I_CC非常低。

下图显示了CMOS的V_IN-I_CC曲线。
当V_IN介于0和|Vth|之间或V_CC－|V_th|和V_CC之间时，V_CC和GND之间只有很小的电流（I_CC）流过。但是，当V_IN介于|Vth|和V_CC－|Vth|之间时，直通电流从p沟道MOSFET到n沟道MOSFET，从而增加了I_CC。因此，应注意确保避免对于V_IN的输入变化过慢。