用于车载应用，采用-4.5V驱动电压，即使在电池电压跌落期间也能工作的-40V P沟道功率MOSFET：XPH3R114MC，XPH4R714MC，XPN9R614MC
产品新闻2019年6月
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了用于车载应用的-40V P沟道功率MOSFET“XPH3R114MC”，“XPH4R714MC”和“XPN9R614MC”。
这些新产品采用最新的P沟道MOSFET U-MOSVI工艺[1]，具有低的导通电阻。特别是XPH3R114MC，它具有行业领先[2]的最低导通电阻[3]，因其减少了导通损耗，有助于节能。当栅极源极电压为-4.5V时，即使在电池电压跌落的情况下，它们也能进行工作。此外，它们还提供窄的栅极阈值电压范围，为1.1V，这减少了漏极电流变化，有利于并联使用时的控制。
新产品适用于车载设备的负载开关和电机驱动等应用。
注：
[1] 截止于2019年3月
[2] 与具有相同最大额定值的产品相比，根据截止于2019年3月的东芝调查。
[3] XPH3R114MC：RDS（ON）＝3.1mΩ（最大值）@VGS＝-10V
特点
- 低导通电阻
RDS（ON）＝3.1mΩ（最大值）@VGS＝-10V（XPH3R114MC）
RDS（ON）＝4.7mΩ（最大值）@VGS＝-10V（XPH4R714MC）
RDS（ON）＝9.6mΩ（最大值）@VGS＝-10V（XPN9R614MC） - 低的栅极驱动电压（VGS＝-4.5V）
- 窄的栅极阈值电压范围：Vth＝-1.0至-2.1V（窄：1.1V范围）
应用
- 汽车设备
负载开关
电机驱动
产品规格
（除非另有规定，@Ta＝25°C）
| 器件型号 | 最大绝对额定值 | 漏极-源极导通电阻 RDS(ON) 最大值 （mΩ） |
栅极阈值电压 Vth （V） |
沟道到外壳的热阻抗 Zth（ch-c） 最大值 @Tc＝25°C （°C/W） |
封装 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 漏极-源极电压 VDSS （V） |
漏极电流 （DC） ID （A） |
@VGS＝ -4.5V |
@VGS＝ -10V |
最小值 | 最大值 | |||
| XPH3R114MC | -40 | -100 | 4.7 | 3.1 | -1.0 | -2.1 | 0.88 | SOP Advance(WF) |
| XPH4R714MC | -60 | 6.9 | 4.7 | 1.13 | ||||
| XPN9R614MC | -40 | 13.4 | 9.6 | 1.5 | TSON Advance(WF) | |||
内部电路
应用电路示例
无刷电机驱动电路
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息，在公告之日仍为最新信息，如有变更，恕不另行通知。
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