3-5.反向恢复时间
当二极管和其它半导体器件导通时，由于自由电子和空穴（载流子）而产生电流。此外，这些载流子作为电荷积聚在跨结形成的耗尽区或寄生电容器中，并且还作为过剩载流子积聚在轻掺杂区中。（这会导致上述电导率调制。）当这些器件从导通状态转换到关断状态时，它们会像电容器一样释放电子。所产生的电子流动作为反方向的电流流动接受观察。
正向电压（VF）为正，而电流（IF）介于零和峰值反向恢复电流（Irr）之间。在此期间，耗尽区和寄生电容器的电荷主要被释放，导致负电流流动。一旦iF达到Irr，导致电导率调制的过剩载流子（电子和空穴）就会消失，因为它们会再结合。因此，这种再结合所需的时间取决于载流子的寿命。
如上所述，电导率调制发生在双极器件（如pn结二极管）中，理论上不会发生在单极器件（如SBD）中。因此，SBD的反向恢复时间几乎为零。
图3-9比较了两种典型pn结二极管的反向恢复特性，即CRG09A整流二极管（VR=400V，IF=1A）和CMF02A快速恢复二极管（VR＝600V，IF=1A），以及CMS20I40A SBD（VR=40V，IF=2A）。虽然由于它们的最大额定反向电压不同，很难进行简单的比较，但快速恢复二极管（FRD）的反向恢复时间远远小于整流二极管，而SBD的反向恢复时间几乎为零。
第Ⅲ章：肖特基势垒二极管的基础知识
3-1.二极管的分类
3-2.SBD与pn结二极管的比较
3-3.SBD的应用
3-4.正向电压
3-6.最大额定反向电压（VR）
3-7.漏电流
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