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有助于延长电池驱动设备的工作时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET产品线扩展:SSM10N954L

产品新闻2021年4月

The package photograph of lineup expansion of small, low On-resistance common-drain MOSFET products helping battery-driven devices operate for longer periods of time : SSM10N954L.

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)扩展了共漏极12V多通道MOSFET产品线,推出一款用于移动设备和其他设备锂离子电池组电池保护电路的产品—SSM10N954L。

锂离子电池组采用高强的保护电路来增强安全性。此外,还需要减少锂离子电池充/放电时的发热。这种保护电路要求低功耗、高密度安装,因此需要小且薄的低导通电阻MOSFET产品。

新产品与此前发布的SSM6N951L相似,也采用了微工艺,并进一步降低了导通电阻。由于该产品具有行业领先的[1]低导通电阻特性,因此具有低功耗。其栅极漏电流低(栅极-源极泄漏电流低),还具有低待机功耗的特性,因此有助于延长电池的运行时间。此外,它采用新型封装TCSPAC-153001(1.49mm×2.98mm,厚度:0.11mm(典型值))。

注:
[1]与具有相同最大额定值的产品相比,根据截止于2021年3月的东芝调查。

特性

  • 行业领先的[1]低导通电阻:RSS(ON)=2.2mΩ(典型值)@VGS=3.8V
  • 行业领先的[1]低栅源漏电流:IGSS=±1µA(最大值)@VGS=±8V
  • 小型表面贴装TCSPAC-153001封装:1.49mm×2.98mm,厚度:0.11mm(典型值)
  • 可轻松用于电池保护电路中的共漏极结构

应用

带锂电子电池组的设备

  • 办公和个人设备(智能手机、平板电脑、移动电源和可穿戴设备等)
  • 消费类电子设备(游戏机、电动牙刷、小型数码相机和数码单眼反光相机等)

产品规格

(@Ta=25°C)

器件型号 SSM10N954L SSM6N951L[2]
结构 N沟道共漏极
绝对最大
额定值
源极-源极电压VSSS(V) 12
栅极-源极电压VGSS(V) ±8
源极电流(DC)IS(A) 13.5 8
栅极-源极漏电流
IGSS最大@VGS=±8V(µA)
±1
源极-源极
导通电阻
RSS(ON)典型值
(mΩ)
@VGS=4.5V 2.1 4.4
@VGS=3.8V 2.2 4.6
@VGS=3.1V 2.4 4.9
@VGS=2.5V 3.1 5.5
封装 名称 TCSPAC-153001 TCSP6A-172101
尺寸典型值(mm) 1.49×2.98,厚度:0.11 2.14×1.67,厚度:0.11

注:
[2]此前发布的产品

等效电路

The illustration of equivalent circuit of lineup expansion of small, low On-resistance common-drain MOSFET products helping battery-driven devices operate for longer periods of time : SSM10N954L.

应用电路示例

The illustration of application circuit example of lineup expansion of small, low On-resistance common-drain MOSFET products helping battery-driven devices operate for longer periods of time : SSM10N954L.

本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。

* 本文档中的产品价格和规格、服务内容和联系方式等信息,在公告之日仍为最新信息,如有变更,恕不另行通知。

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