第3代碳化硅(SiC)MOSFET
东芝第3代碳化硅(SiC)MOSFETMOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品。与第二代产品一样,东芝新一代MOSFET内置了与SiC MOSFET内部PN结二极管并联的SiC肖特基势垒二极管(SBD),其正向电压(VF)低至-1.35V(典型值),以抑制RDS(on) 波动,从而提高可靠性。此外,与第2代产品相比,东芝先进的SiC工艺[1]显著改善了单位面积导通电阻RonA,以及代表开关特性的性能指标Ron*Qgd。此外,极驱动电路设计简单,可防止开关噪声引起的故障。
东芝第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗,支持各种高功率密度应用,如开关电源(数据中心服务器、通信设备等)、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电站等。