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SiC功率器件

与硅(Si)相比,碳化硅(SiC)是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此,与硅器件相比,当用于半导体器件中时,碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性,其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。

产品线

SiC MOSFET
东芝的1200V SiC MOSFET产品,可提供高速开关和低导通电阻,使其在高功率、高效率的工业电源、低损耗的太阳能逆变器和UPS产品中脱颖而出。
SiC肖特基势垒二极管
东芝提供额定电流为2A至10A的650V碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)。
SiC MOSFET有助于降低工业类应用的功耗
东芝的TW070J120B 1200V SiC MOSFET具有低导通电阻、低输入电容和低栅极电荷总量的特性,因而可实现高速开关并降低功耗。
关断损耗比较
关断损耗比较

参考设计

单相PFC电源基础仿真电路
该参考设计提供了基于OrCAD®的仿真电路、仿真结果和设计指南,用于设计单相PFC电源。

单相PFC电源基本仿真电路

交错式PFC电源基础仿真电路
该参考设计提供了基于OrCAD®的仿真电路,仿真结果和设计指南,用于设计交错式PFC电源。

交错式PFC电源基础仿真电路

无桥PFC电源基础仿真电路
该参考设计提供了基于OrCAD®的仿真电路,仿真结果和设计指南,用于设计无桥PFC电源。

无桥PFC电源基础仿真电路

1.6kW,80+白金级高效服务器AC-DC电源
该参考设计提供了使用半无桥/隔离相移全桥的1.6kW 80Plus白金级电源的设计指南,数据和其他内容。

半导体、电源、电源管理、拓扑、反激、AC-DC、MOSFET、二极管、东芝

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