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SiC功率器件

与硅(Si)相比,碳化硅(SiC)是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此,与硅器件相比,当用于半导体器件中时,碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性,其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。

产品线

SiC MOSFET
东芝的1200V SiC MOSFET产品,可提供高速开关和低导通电阻,使其在高功率、高效率的工业电源、低损耗的太阳能逆变器和UPS产品中脱颖而出。
SiC肖特基势垒二极管
东芝提供额定电流为2A至10A的650V碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)。
SiC MOSFET模块
我们的SiC MOSFET模块具有高速开关性能,并使用SiC(碳化硅),这是一种针对低损耗和小型化应用设计的新型材料,适用于工业电源转换器,例如电力铁路的逆变器和光伏逆变器。
使用东芝的SiC MOSFET开启电源的新大门
解决环境和能源问题是一个重要的全球性问题。随着电力需求持续升高,对节能的呼声以及对高效、紧凑型电力转换系统的需求也迅速增加。
相比于传统的硅(Si)MOSFET和IGBT产品,基于全新碳化硅(SiC)材料的功率MOSFET具有耐高压,高速开关,低导通电阻性能。除减少产品尺寸外,该类产品可极大降低功率损耗。
SiC MOSFET支持小型化、低损耗电源
使用SiC MOSFET的好处是什么?
与Si IGBT相比,东芝SiCMOS实现了低导通电阻和高速开关。
SiC MOSFET模块的特点
我们的SiC MOSFET模块实现了高可靠性,宽栅极-源极电压和高栅极阈值电压。 另外,高耐热性和低电感封装充分发挥了SiC的性能。
东芝SiC MOSFET模块的特点
与IGBT模块相比,SiC MOSFET模块的低损耗特性可以降低总损耗(开关损耗+导通损耗)。高速开关和低损耗操作还有助于减小滤波器、变压器和散热器的尺寸,实现了紧凑、轻便的系统。
助力高输出电源的高效率和低损耗
与FRD相比,恢复损耗大大降低:快速恢复二极管
SiC MOSFET有助于降低工业应用的功耗
东芝的TW070J120B 1200V SiC MOSFET具有低导通电阻,低输入电容和低总栅极电荷总量的特性,因而可实现高开关速度并降低功耗。
SiC MOSFET的特性
由于碳化硅(SiC)的介电击穿强度大约是硅(Si)的10倍,因此SiC功率器件可以提供高耐压和低导通电阻。
低开关损耗SiC肖特基势垒二极管(SBD)
通过使用SiC,实现了具有高耐压和低开关损耗(低反向恢复电荷)的器件。

二极管,SiC肖特基势垒二极管

改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力
采用改进的JBS结构,降低了SBD的泄漏电流和提高了浪涌电流能力

二极管/SiC肖特基二极管

适用于电源电路的SiC器件
SiC肖特基二极管(SBD)实现了使用Si肖特基二极管无法实现的高的SBD击穿电压,并且显著降低了使用p-n结二极管无法实现的反向恢复时间(电荷),比如Si-FRD(快速恢复二极管)。

二极管/SiC肖特基二极管

SiC SBD的高耐压(反向电压)特性
实现了一种高击穿电压器件,其介电击穿场强比硅SBD高近10倍。

二极管/SiC肖特基二极管

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