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SiC功率器件

与硅(Si)相比,碳化硅(SiC)是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此,与硅器件相比,当用于半导体器件中时,碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性,其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。

产品线

SiC MOSFET
东芝的1200V SiC MOSFET产品,可提供高速开关和低导通电阻,使其在高功率、高效率的工业电源、低损耗的太阳能逆变器和UPS产品中脱颖而出。
SiC肖特基势垒二极管
东芝提供额定电流为2A至10A的650V碳化硅肖特基势垒二极管(SiC SBD)。
SiC MOSFET模块
我们的SiC MOSFET模块具有高速开关性能,并使用SiC(碳化硅),这是一种针对低损耗和小型化应用设计的新型材料,适用于工业电源转换器,例如电力铁路的逆变器和光伏逆变器。
第三代碳化硅(SiC)MOSFET
东芝第三代碳化硅(SiC)MOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品。与第二代产品一样,东芝新一代MOSFET内置了与SiC MOSFET内部PN结二极管并联的SiC肖特基势垒二极管(SBD),其正向电压(VF)低至-1.35V(典型值),以抑制RDS(on) 波动,从而提高可靠性。此外,与第2代产品相比,东芝先进的SiC工艺[1] 显著改善了单位面积导通电阻RonA,以及代表开关特性的性能指标Ron*Qgd。此外,极驱动电路设计简单,可防止开关噪声引起的故障。
东芝第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗,支持各种高功率密度应用,如开关电源(数据中心服务器、通信设备等)、不间断电源(UPS)、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
第三代碳化硅(SiC)MOSFET
SiC MOSFET模块的特点
我们的SiC MOSFET模块实现了高可靠性,宽栅极-源极电压和高栅极阈值电压。 另外,高耐热性和低电感封装充分发挥了SiC的性能。
东芝SiC MOSFET模块的优点
与IGBT模块相比,SiC MOSFET模块的低损耗特性可以降低总损耗(开关损耗+导通损耗)。高速开关和低损耗操作还有助于减小滤波器、变压器和散热器的尺寸,实现了紧凑、轻便的系统。
改进JBS结构以降低泄漏电流和提高浪涌电流能力
采用改进的JBS结构,降低了SBD的泄漏电流和提高了浪涌电流能力
二极管/SiC肖特基二极管
SiC SBD的高耐压(反向电压)特性
实现了一种高击穿电压器件,其介电击穿场强比硅SBD高近10倍。
二极管/SiC肖特基二极管
低开关损耗SiC肖特基势垒二极管(SBD)
通过使用SiC,实现了具有高耐压和低开关损耗(低反向恢复电荷)的器件。
二极管 / SiC肖特基势垒二极管
有助于高输出电源的高效率和低损耗
与FRD相比,恢复损耗大大降低:快速恢复二极管

文档

参考设计

5kW隔离式DC-DC转换器
该参考设计提供了采用1200V SiC MOSFET双有源桥(DAB)转换方法的5kW隔离双向DC-DC转换器的设计指南,数据和其他内容。
3相AC 400V输入PFC转换器
该参考设计提供了采用3相图腾柱拓扑结构和1200V SiC MOSFET的4kW 3相AC 400V输入PFC转换器的设计指南,数据和其他内容。

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