SiC功率器件
与硅（Si）相比，碳化硅（SiC）是一种介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高的半导体材料。因此，与硅器件相比，当用于半导体器件中时，碳化硅器件可以提供高耐压、高速开关和低导通电阻。鉴于该特性，其将成为有助于降低能耗和缩小系统尺寸的下一代低损耗器件。
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第3代碳化硅（SiC）MOSFET
东芝第3代碳化硅（SiC）MOSFETMOSFET推出电压分别为650V和1200V的两款系列产品。与第二代产品一样，东芝新一代MOSFET内置了与SiC MOSFET内部PN结二极管并联的SiC肖特基势垒二极管（SBD），其正向电压（VF）低至-1.35V（典型值），以抑制RDS(on) 波动，从而提高可靠性。此外，与第2代产品相比，东芝先进的SiC工艺[1]显著改善了单位面积导通电阻RonA，以及代表开关特性的性能指标Ron*Qgd。此外，极驱动电路设计简单，可防止开关噪声引起的故障。
东芝第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持各种高功率密度应用，如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
东芝第三代SiC MOSFET拥有更低的功耗，支持各种高功率密度应用，如开关电源（数据中心服务器、通信设备等）、不间断电源（UPS）、光伏逆变器、电动汽车充电站等。
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第3代肖特基势垒二极管（ SBD）
采用新型肖特基金属，搭载了第3代SiC SBD芯片，优化了第二代结势垒肖特基（JBS）结构。因此，实现了业界领先的1.2V（典型值）低正向电压，比第2代的 1.45V（典型值）低 17%。第3代产品与第2代产品相比，改进了正向电压和总电容电荷，以及正向电压和反向电流之间的平衡，降低了功耗的同时有助于提高设备效率。
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