高击穿电压、低功耗和小型化等对于IH电磁炉设计非常重要。东芝提供了适用于IH线圈驱动单元、电机驱动单元、电流检测单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
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Example of display control section
用栅极驱动耦合器驱动IGBT的电磁感应电流谐振电路示例
使用并联电阻器和运算放大器的电磁感应线圈电流检测电路示例
使用光耦进行电机电流反馈的电机驱动电路示例
使用MOSFET作为低边开关的LED驱动电路示例
Example of display control section
器件型号 | ||
---|---|---|
Toshiba Package Name | SOT-723 (VESM) | SOT-563 (ES6) |
VDSS (Max) [V] | 20 | 20 |
ID (Max) [A] | 0.8 | 0.8 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | ||
Polarity | N-ch | N-ch×2 |
用栅极驱动耦合器驱动IGBT的电磁感应电流谐振电路示例
使用并联电阻器和运算放大器的电磁感应线圈电流检测电路示例
使用光耦进行电机电流反馈的电机驱动电路示例
器件型号 | ||
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Toshiba Package Name | SOT-723 (VESM) | SOT-563 (ES6) |
VDSS (Max) [V] | 20 | 20 |
ID (Max) [A] | 0.8 | 0.8 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | ||
Polarity | N-ch | N-ch×2 |
使用MOSFET作为低边开关的LED驱动电路示例
器件型号 | ||
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Toshiba Package Name | SOT-723 (VESM) | SOT-563 (ES6) |
VDSS (Max) [V] | 20 | 20 |
ID (Max) [A] | 0.8 | 0.8 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | ||
Polarity | N-ch | N-ch×2 |
这些文档对推荐的半导体产品的要点及其特性进行了说明。请参考其进行产品选择。
您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑,以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。
您可以根據實際要求選擇和下載馬達驅動IC的各種基本拓撲結構,例如3相逆變器電路,以驗證MOSFET和其他元件在您的模擬環境中的性能。
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