低功耗和小型化对于无线充电器的设计非常重要的。东芝提供了适用于电源单元、逆变器电路单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。
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使用分立器件解决方案及控制IC的电源电路示例
使用分立器件解决方案及控制IC的电源电路示例
使用分立器件解决方案及控制IC的变频器电路示例
使用分立器件解决方案及控制IC的电源电路示例
器件型号 | ||||
---|---|---|---|---|
Toshiba Package Name | SOD-323 (USC) | SOD-323 (USC) | SOD-323 (USC) | SOD-323 (USC) |
VESD (Max) [kV] | +/-30 | +/-30 | +/-30 | +/-30 |
IR (Max) [µA] | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
Rdyn (Typ.) [Ω] | 0.08 | 0.08 | 0.08 | 0.13 |
CT (Typ.) [pF] @ VR = 0 [V], f = 1 [MHz] | 600 | 280 | 270 | 160 |
器件型号 | ||||
---|---|---|---|---|
Toshiba Package Name | SOD-963 (CST2C) | SOD-963 (CST2C) | SOD-963 (CST2C) | SOD-963 (CST2C) |
VESD (Max) [kV] | +/-30 | +/-30 | +/-30 | +/-30 |
IR (Max) [µA] | 0.1 | 0.1 | 0.1 | 0.1 |
Rdyn (Typ.) [Ω] | 0.08 | 0.08 | 0.08 | 0.13 |
CT (Typ.) [pF] @ VR = 0 [V], f = 1 [MHz] | 600 | 280 | 270 | 160 |
器件型号 | |||
---|---|---|---|
Toshiba Package Name | TSON Advance | TSON Advance | TSON Advance |
VDSS (Max) [V] | 40 | 80 | 80 |
ID (Max) [A] | 68 | 32 | 26 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.0075 | 0.0084 | 0.0123 |
Polarity | N-ch | N-ch | N-ch |
器件型号 | ||||
---|---|---|---|---|
Toshiba Package Name | SOP Advance | DPAK+ | DPAK | DPAK |
VDSS (Max) [V] | 40 | 60 | 80 | 80 |
ID (Max) [A] | 72 | 90 | 84 | 62 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.0072 | 0.0033 | 0.0051 | 0.0069 |
Polarity | N-ch | N-ch | N-ch | N-ch |
使用分立器件解决方案及控制IC的电源电路示例
器件型号 | |||||
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Toshiba Package Name | WCSP4F | DFN4F | WCSP4F | SOT-553 (ESV) | SOT-25 (SMV) |
IOUT (Max) [mA] | 500 | 300 | 300 | 200 | 200 |
VOUT [V] | 0.9 to 5.0 | 0.9 to 4.5 | 0.8 to 5.0 | 0.8 to 3.6 | 1.5 to 5.0 |
使用分立器件解决方案及控制IC的变频器电路示例
器件型号 | ||
---|---|---|
Toshiba Package Name | SOD-323HE (US2H) | SOD-323HE (US2H) |
VRRM (Max) [V] | ||
VR (Max) [V] | 30 | 40 |
CT (Typ.) [pF] | 380 | 300 |
器件型号 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Toshiba Package Name | SOD-323HE (US2H) | SOD-323HE (US2H) | SOD-323HE (US2H) | SOD-323HE (US2H) | SOD-323HE (US2H) |
VRRM (Max) [V] | |||||
VR (Max) [V] | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 |
CT (Typ.) [pF] | 130 | 130 | 300 | 130 | 290 |
器件型号 | |||
---|---|---|---|
Toshiba Package Name | TSON Advance | TSON Advance | TSON Advance |
VDSS (Max) [V] | 40 | 80 | 80 |
ID (Max) [A] | 68 | 32 | 26 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.0075 | 0.0084 | 0.0123 |
Polarity | N-ch | N-ch | N-ch |
器件型号 | ||||
---|---|---|---|---|
Toshiba Package Name | SOP Advance | DPAK+ | DPAK | DPAK |
VDSS (Max) [V] | 40 | 60 | 80 | 80 |
ID (Max) [A] | 72 | 90 | 84 | 62 |
RDS(ON) (Max) [Ω] @ |VGS| = 10.0 [V] | 0.0072 | 0.0033 | 0.0051 | 0.0069 |
Polarity | N-ch | N-ch | N-ch | N-ch |
这些文档对推荐的半导体产品的要点及其特性进行了说明。请参考其进行产品选择。
您可以根据实际需求选择和下载电源单元的各种基本拓扑,以便在仿真环境中验证MOSFET的性能。
您可以根據實際要求選擇和下載馬達驅動IC的各種基本拓撲結構,例如3相逆變器電路,以驗證MOSFET和其他元件在您的模擬環境中的性能。
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