该参考设计提供了使用4引脚MOSFET封装(DFN8×8)最大限度提高开关性能和效率的示例电路,该封装有助于降低封装电感。
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器件型号 | 器件目录 | 搭载部位・数量 | 说明 |
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功率MOSFET(N沟道500V<VDSS≤700V) | N沟道MOSFET,600V,0.135Ω@10V,DFN 8×8,DTMOSⅣ-H |
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