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新闻中心

此页面列举了东芝电子元件及存储装置株式会社的新闻。
新闻中的信息(包括产品价格和规格,服务内容和联系信息)是新闻发布时的最新信息,如有更改,恕不另行通知。2017年3月31日以前的新闻是东芝存储与电子元器件解决方案发布的新闻。

发布年份
产品种类
新闻类型
2021年09月30日
以低导通电阻降低功耗的车载小型MOSFET产品线拓展
2021年09月21日
东芝基于模型开发的新型仿真技术将车载半导体的验证时间缩短了约90%
2021年07月29日
有助于减小汽车设备尺寸的100V N沟道功率MOSFET的产品线扩展:XPW4R10ANB、XPW6R30ANB、XPN1300ANC
2021年04月27日
有助于延长电池驱动设备的工作时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET产品线扩展:SSM10N954L
2021年03月31日
采用有助于提高电源效率的新工艺,80V N沟道功率MOSFET的产品线扩展:TK2R4E08QM,TK3R3E08QM,TK5R3E08QM,TK7R0E08QM,TK2R4A08QM,TK3R2A08QM,TK5R1A08QM,TK6R8A08QM,TK5R1P08QM,TK6R9P08QM
2021年03月11日
东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET,有助于提高大电流设备的效率
2021年03月10日
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布对功率器件业务进行重大投资
2021年02月25日
东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化
2021年02月01日
有助于降低电源的EMI的低尖峰型40V N沟道功率MOSFET:TPHR7404PU
2020年10月19日
东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
2020年09月30日
东芝推出了一款共源共栅的GaN分立功率器件,可通过直接栅极驱动实现稳定运行并简化系统设计
2020年09月30日
东芝推出可延长电池使用时间的小型低导通电阻共漏极MOSFET
2020年07月30日
可提高碳化硅(SiC)MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世
2020年07月22日
采用有助于提高电源效率的新工艺80V N沟道功率MOSFET的产品线扩展:TPH2R408QM,TPH4R008QM,TPN8R408QM,TPN12008QM
2020年05月13日
有助于降低车载设备功耗的小型表面贴装的40V/60V N沟道功率MOSFET:XPN3R804NC,XPN7R104NC,XPN6R706NC,XPN12006NC
2020年03月31日
新一代超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的阵容扩展,有助于提高电源效率:TK110N65Z,TK110Z65Z,TK110A65Z,TK125V65Z,TK155A65Z,TK170V65Z,TK190A65Z,TK210V65Z
2020年03月30日
东芝推出采用其最新一代工艺的80V N沟道功率MOSFET,助力提高电源效率
2020年01月15日
用于车载设备,具有低导通电阻,提供低功耗的小型MOSFET扩大阵容:SSM6J808R,SSM6K819R
2019年12月25日
东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
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