使用共漏极MOSFET的电源多路复用器电路

此参考设计中，在一个小型印刷电路板（PCB）上实现了具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路。我们现已在已开发的电源多路复用器电路参考设计中增加了使用共漏极MOSFET的应用电路。这些参考电路通过组合东芝多种产品线中的MOSFET栅极驱动IC和齐纳二极管等最佳器件，可以实现BBM和MBB模式的切换。

多路复用器电路PCB照片示例
PCB照片示例
CUHZ24V CUHZ24V DSF01S30SL DSF01S30SL DSF01S30SL TCR1HF50B TCR1HF50B CUHZ12V CUHZ12V SSM3K15ACTC SSM3K15ACTC TCK424G TCK424G SSM3K15ACTC SSM10N961L SSM10N961L SSM10N961L SSM10N961L TCK421G TCK421G SSM3K72CTC SSM3K72CTC TC75S70L6X TC7WZ04FK TC75S70L6X TC7WZ04FK

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特点

  • 2cm×2cm小尺寸电路板贴装，具有2个输入和1个输出的电源多路复用器电路
  • 使用共漏极MOSFET（SSM10N961L）
  • 在20V和9V输入之间切换，输出电流为3A（最大值）
  • 支持USB功率输出、快速充电、无线供电等多种电源系统的切换
  • 可切换MBB（先合后断）、BBM（先断后合）操作

说明

电路 双输入单输出电源多路复用器电路
输入VINA／输入VINB 9V／20V
输出电流（最大值） 3A
电源多路复用器电路（MUX6）的MBB波形示例
MBB波形示例

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

*1:实际PCB在CR5000BD上设计。其他文件由CR5000BD文件生成。

*2:数据在CR5000BD上生成。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
齐纳二极管 模组板 12V齐纳二极管，SOD-323HE(US2H)
齐纳二极管 模组板 24V整流二极管，SOD-323HE(US2H)
小信号肖特基势垒二极管 模组板 30V/0.1A肖特基势垒二极管，SOD-962(SL2)
小信号MOSFET 模组板 N沟道MOSFET，30V，0.1A，3.6Ω@4V，CST3C
小信号MOSFET 模组板 N沟道MOSFET，60V，0.15A，3.9Ω@10V，CST3C
功率MOSFET（N沟道双型） 模组板 N沟道×2共漏极MOSFET，30V，14.0A，9.9mΩ@10V，TCSPAG-341501
比较器（CMOS） 模组板 单比较器（ CMOS），5.5V，+/-2.75V，MP6C
L-MOS SHS系列（TC74LCX等效产品） 模组板 单门逻辑（L-MOS），反向器， SOT-765(US8)
负载开关IC 模组板 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC，WCSP6G
负载开关IC 模组板 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC，WCSP6G
低压差（LDO）线性稳压器 模组板 高电压、低静态电流、快速负载瞬态CMOS线性稳压器
功率MOSFET（N沟道单型，30V＜VDSS≤60V） 基板 N沟道MOSFET，40V，0.00085Ω@10V，SOP Advance(N)，U-MOSⅨ-H
负载开关IC 基板 2.7V至28V外部MOSFET驱动IC，WCSP6E
L-MOS SHS系列（TC74LCX等效产品） 基板 单门逻辑（L-MOS），施密特缓冲器，SOT-363(US6)
74HC CMOS逻辑IC系列 基板 双单稳态多谐振荡器，SOIC16
点调节器（单路输出） 基板 200mA固定输出LDO稳压器4.8V，SOT-25(SMV)
偏置电阻内置晶体管（BRT） 基板 NPN偏置电阻内置晶体管（BRT），47kΩ／47kΩ，SOT-723(VESM)
偏置电阻内置晶体管（BRT） 基板 PNP偏置电阻内置晶体管（BRT），10kΩ／10kΩ，SOT-723(VESM)
开关二极管 基板 80V/0.1A开关二极管，SOD-523(ESC)

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