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用于工业设备的N沟道功率MOSFET通过使用SOP Advance（E）封装降低了导通电阻
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了两款采用新型SOP Advance（E）封装的N沟道功率MOSFET：80V的“TPM1R908QM”和150V的“TPM7R10CQ5”。这些产品适用于数据中心、通信基站等工业设备的开关电源。
相较于东芝现有的SOP Advance（N）封装，新型SOP Advance（E）封装的封装电阻降低了约65%，热阻降低了约15%。与东芝现有的“TPH2R408QM[1]”产品相比，在相同电压下，80V的TPM1R908QM的漏源导通电阻降低了约21%，结壳热阻降低了约15%。同样，与东芝现有的“TPH9R00CQ5[1]”产品相比，在相同电压下，150V的TPM7R10CQ5的漏源导通电阻降低了约15%，结壳热阻也降低了约15%。此外，通过降低导通电阻，并通过减小热阻来抑制温升，可以改善导通电阻的正温度特性，从而在开关电源等工业设备中实现更低的损耗和更高的能效。
此外，东芝还提供支持开关电源电路设计的工具。现在，除了可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型之外，还提供能够精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝将继续对功率MOSFET产品线进行开发和扩展，以提高电源能效，降低设备的功耗。
注：
[1]SOP Advance（N）封装产品
特点
- 与东芝现有产品相比，导通电阻RDS(ON)降低约21%
- 与东芝现有产品相比，结壳热阻Rth(ch-c)降低约15%
特性说明
1.与东芝现有产品相比，导通电阻RDS(ON)降低约21%
与东芝现有的“TPH2R408QM”产品相比，在相同电压下，80V的TPM1R908QM的漏源导通电阻降低了约21%。同样，与东芝现有的“TPH9R00CQ5”产品相比，在相同电压下，150V的TPM7R10CQ5的漏源导通电阻降低了约21%。降低导通电阻可在应用中实现更低损耗和更高能效。
2.与东芝现有产品相比，结壳热阻Rth(ch-c)降低约15%
与东芝现有的“TPH2R408QM”产品相比，在相同电压下，80V的TPM1R908QM的热阻降低了约15%。同样，与东芝现有的“TPH9R00CQ5”产品相比，在相同电压下，150V的TPM7R10CQ5的热阻降低了约15%。降低热阻可以抑制温升，获得具有正温度特性的低导通电阻，从而在应用中实现更低损耗和更高能效。
应用
工业设备
- 数据中心的开关电源
- 通信基站的开关电源
主要规格
（除非另有规定，Ta＝25°C）
| 器件型号 | TPM1R908QM | TPM7R10CQ5 | |||
|---|---|---|---|---|---|
| 绝对最大额定值 | 漏源电压VDSS（V） | 80 | 150 | ||
| 漏极电流（DC）ID（A） | Tc＝25°C | 238 | 120 | ||
| 结温Tch（°C） | 175 | 175 | |||
| 热特性 | 结壳热阻Rth(ch-c)（°C／W） | Tc＝25°C | 最大值 | 0.6 | 0.6 |
| 电气特性 | 漏源导通电阻RDS(ON)（mΩ） |
VGS＝10V | 最大值 | 1.9 | 7.1 |
| VGS＝8V | 最大值 | - | 8.7 | ||
| VGS＝6V | 最大值 | 2.8 | - | ||
| 栅极电荷总量Qg（nC） | VGS＝10V | 典型值 | 108 | 57 | |
| 栅极开关电荷Qsw（nC） | 典型值 | 35 | 18 | ||
| 输出电荷Qoss（nC） | 典型值 | 111 | 106 | ||
| 输入电容Ciss（pF） | 典型值 | 7360 | 4390 | ||
| 反向恢复时间trr（ns） | 典型值 | 57 | 45 | ||
| 反向恢复电荷Qrr（nC） | 典型值 | 71 | 43 | ||
| 封装 | 名称 | SOP Advance(E) | |||
| 尺寸（mm） | 典型值 | 4.9×6.1 | |||
| 库存查询与购买 |  |
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| 器件型号 | Authorized Distributor | Stock Quantity | Date | Shopping Cart |
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