48 V总线兼容1.2 V/100 A双降压DC-DC转换器

为了降低数据输入的功耗，服务器的48 V电源越来越受欢迎。该DC-DC转换器可以将48 V总线电压高效地转换为1.2 V/100 A，供服务器上的多个设备使用。提供了电路设计和操作的设计文件和指南，可用作参考设计。

PCB照片（示例）
电路板外观
TPH1400ANH TPH1400ANH TPH5R60APL TPH5R60APL TPH8R903NL TPH8R903NL TPHR9203PL1 TPHR9203PL1

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特点

  • 配备最新一代元件，实现比现有电源更高的效率
  • 总效率83%（100%负载条件下Vin＝50 V）
  • 外形尺寸：198 mm×151 mm
  • 全面提供最新功率MOSFET

说明

输入电压 DC 40 V至59.5 V
输出电压 DC 1.2 V
输出功率 120 W
电路拓扑 双降压DC-DC转换器（非隔离同步Buck DC-DC + 非隔离同步Buck DC-DC）
效率曲线
效率曲线

设计文档

我们向设计人员提供电路操作概要和设计要点说明等资料。请单击每个选项卡，将其用于电路设计。

设计数据

我们提供可加载到EDA工具中的电路数据、PCB布局数据以及PCB制造中使用的数据。多个工具供应商为您提供了多种格式。您可以使用您的工具进行自由编辑。

*1:实际PCB在CR5000BD上设计。其他文件由CR5000BD文件生成。

*2:数据在CR5000BD上生成。

东芝产品

器件型号 器件目录 搭载部位・数量 说明
功率MOSFET（N沟道单型60V<VDSS≤150V） 第一阶段高边・2 N沟道MOSFET，100 V，0.0136 Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单型60V<VDSS≤150V） 第一阶段低边・2 N沟道MOSFET，100 V，0.0056 Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅨ-H
功率MOSFET（N沟道单型VDSS≤30V） 第二阶段高边・5 N沟道MOSFET，30 V，0.0089 Ω@10V，SOP Advance，U-MOSⅧ-H
功率MOSFET（N沟道单型VDSS≤30V） 第二阶段低边・5 N沟道MOSFET，30 V，0.00092 Ω@10V，SOP Advance(N)，U-MOSⅨ-H

相关文档

我们提供有助于设计和研究相似电路的参考资料，例如已安装产品的应用说明。请单击每个选项卡使用这些资料。

应用

服务器
Such as low power consumption and miniaturization are important in designing server. Toshiba provides information on a wide range of semiconductor products suitable for power supply units, motor driving unit, over temperature monitoring unit, etc., along with circuit configuration examples.
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