MOSFET：安全動作領域(SOA)

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２つのモードの安全動作領域があります。

(1) Forward Bias SOA (F.B．SOA)：オン状態における電流－電圧の使用可能領域を表します。
(2) Reverse Bias SOA (R.B．SOA)：ターンオフ時の電流－電圧の使用可能領域を表します。

スイッチング動作ですので適用パルス幅は非常に短くなります。

各モードは、図3-12(a)のように定義することが出来ます。

実動作におけるSOAの定義
図3-12(a) 実動作におけるSOAの定義
MOSFETのF.B.SOA事例
図3-12(b) MOSFETのF.B.SOA事例
  • MOSFETは、アバランシェの保証のようにターンオフ時の定格電圧・電流動作(短時間)が一般的に保証されておりR.B.SOAは発表されていません。
  • F.B.SOAは、電流(定格ID他)、電圧(定格VDS)、熱抵抗の３つの制限領域と二次降伏領域から成ります。 
  • ３つの制限領域は、各デバイスの定格、熱抵抗から算出されますが、二次降伏領域は、デバイスの実測から求められます。

第3章　トランジスター

トランジスターの種類
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バイポーラートランジスター
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抵抗内蔵型トランジスター
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JFET
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MOSFET
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BJTとMOSFETの動作
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MOSFETの構造と動作
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MOSFET：RDS(ON)の決定要因
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MOSFET：低RDS(ON)化
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Super Junction MOSFET
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MOSFETの構造別特長
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MOSFET：ドレイン電流と許容損失
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MOSFET：アバランシェ耐量
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MOSFET：容量特性
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IGBT
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IGBTの動作
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IGBT：縦方向デザインの進化
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RC-IGBT/IEGTとは
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IGBTの応用機器
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IGBTとMOSFETの比較
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各トランジスターの比較まとめ
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MOSFET：最大定格
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MOSFET：電気的特性
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MOSFET：容量・スイッチング特性
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MOSFET：ボディーダイオード
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関連情報

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