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此页面列举了东芝电子元件及存储装置株式会社的新闻。
新闻中的信息(包括产品价格和规格,服务内容和联系信息)是新闻发布时的最新信息,如有更改,恕不另行通知。2017年3月31日以前的新闻是东芝存储与电子元器件解决方案发布的新闻。

发布年份
产品种类
新闻类型
12-11-2024
东芝推出具有低导通电阻和高可靠性的适用于车载牵引逆变器的最新款1200 V SiC MOSFET
25-09-2024
东芝第3代SiC肖特基势垒二极管产品线增添1200 V新成员,其将助力工业电源设备实现高效率
26-07-2024
东芝开发出可减轻SiC功率模块中并联芯片间寄生振荡的技术,该技术具有最小栅极电阻,可支持高速开关
05-06-2024
有助于实现工业设备高效化和小型化的1200V SiC MOSFET模块产品线扩展
03-06-2024
东芝成功在降低SBD嵌入式SiC MOSFET导通电阻的同时确保了可靠性和短路耐受性
06-03-2024
东芝扩展1700V SiC MOSFET模块产品线,有助于工业设备的高效化和小型化
06-12-2023
东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线,有助于提高工业设备的效率和小型化
31-08-2023
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装
29-08-2023
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化
10-08-2023
东芝推出全新低功耗2200V SiC MOSFET,有助于逆变器系统的简化、小型化和轻量化
13-07-2023
东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率
09-12-2022
东芝开发了具有低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管内嵌式SiC MOSFET
30-08-2022
东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
22-07-2022
东芝的新型SiC MOSFET具有低导通电阻,可显着降低开关损耗
26-01-2022
东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备
23-06-2021
东芝的新器件结构提高了SiC MOSFET的高温可靠性并降低了功率损耗
10-05-2021
东芝的碳化硅功率模块新技术提高了可靠性的同时减小了尺寸
25-02-2021
东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化
19-10-2020
东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
30-07-2020
可提高碳化硅(SiC)MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世
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