新闻中心

此页面列举了东芝电子元件及存储装置株式会社的新闻。
新闻中的信息(包括产品价格和规格,服务内容和联系信息)是新闻发布时的最新信息,如有更改,恕不另行通知。2017年3月31日以前的新闻是东芝存储与电子元器件解决方案发布的新闻。

发布年份
产品种类
新闻类型
06-03-2024
东芝扩展1700V SiC MOSFET模块产品线,有助于工业设备的高效化和小型化
06-12-2023
东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线,有助于提高工业设备的效率和小型化
31-08-2023
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装
29-08-2023
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高效率和小型化
10-08-2023
东芝推出全新低功耗2200V SiC MOSFET,有助于逆变器系统的简化、小型化和轻量化
13-07-2023
东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率
09-12-2022
东芝开发了具有低导通电阻和高可靠性的肖特基势垒二极管内嵌式SiC MOSFET
30-08-2022
东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
22-07-2022
东芝的新型SiC MOSFET具有低导通电阻,可显着降低开关损耗
26-01-2022
东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备
23-06-2021
东芝的新器件结构提高了SiC MOSFET的高温可靠性并降低了功率损耗
10-05-2021
东芝的碳化硅功率模块新技术提高了可靠性的同时减小了尺寸
25-02-2021
东芝推出新款碳化硅MOSFET模块,有助于提升工业设备效率和小型化
19-10-2020
东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
30-07-2020
可提高碳化硅(SiC)MOSFET可靠性的东芝新器件结构问世
16-07-2020
有助于提高电源PFC效率的650V SiC SBD产品线扩展:TRS12N65FB,TRS16N65FB,TRS20N65FB,TRS24N65FB
26-05-2020
有助于节电并提高电源PFC效率的650V/12A的SiC SBD:TRS12A65F、TRS12E65F
29-11-2017
采用TO-220-2L封装的第二代SiC SBD产品的扩大阵容:TRS2E65F、TRS3E65F
17-10-2017
东芝推出采用DPAK表面贴装型封装的第二代650V碳化硅肖特基势垒二极管
  • 1/1
在新窗口打开