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MOSFET Product lineup

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400V-900V MOSFET

400-V~900-V MOSFET被用于开关电源和变频电机应用。东芝提供超级结MOSFET系列用于高输出电源应用,同时提供D-MOS(双扩散)MOSFET系列用于低输出电源应用。

产品阵容

N通道超级结

介绍

DTMOS系列

DTMOS是一种超级结MOSFET系列,适用于快速充电器、工业用大功率电源和其它高输出电源应用。就采用相同封装而言,超级结MOSFET比π-MOS系列提供更低的导通电阻。换句话说,与π-MOS系列MOSFET具有相同导通电阻的超级结MOSFET可以采用较小的封装。因此,DTMOS非常适用于减小电源尺寸和提高电源效率。

π-MOS系列

π-MOS是一种D-MOS(双扩散)MOSFET系列,适用于低输出电源应用,包括65-W或更低功率的笔记本电脑和游戏机适配器。由于π-MOS系列的开关速度并不是非常快,它不会产生大的EMI噪声,所以易于使用。

Power Supply for Consumer Appliances

  • 封装技术

    四引脚TO-247-4L封装中的栅极驱动源端子采用开尔文连接方式,能降低内部电源接线的电感,从而允许MOSFET芯片实现高速开关。
    更多内容

文档

白皮书

Whitepaper
名称 概述 发布日期
支持功率电子的器件发展和产品安装、电路和应用的技术扩展 8/2017
通过MOSFET效率和整合优化电源设计 8/2017
双面冷却封装DSOP Advance:功率MOSFET的热传导创新 8/2017
介绍了新封装的特点和仿真操作分析 9/2017

无绳电动工具:提供高输出功率、扩展操作和较小的外形尺寸 9/2017

应用说明

Application note
名称 概述 发布日期
提供基于仿真结果的提示和技巧,帮助降低半导体分立器件的芯片温度 01/2018
MOSFET漏极与源极之间的高耦合度会引发问题,此资料介绍产生这种现象的原因及其对策 12/2017
介绍雪崩现象的产生机理,阐述它的耐久性及对策 12/2017
介绍了如何降低半导体分立器件芯片温度 12/2017
介绍如何计算半导体分立器件的温度 12/2017
讨论MOSFET安全操作区域的温度降额 12/2017
当MOSFET漏极与源极间电压迅速上升时,MOSFET可能出现故障并导通,此资料解释其机理和对策 12/2017
介绍了平面、沟槽和超级结功率MOSFET 11/2016
介绍了功率MOSFET的绝对最大额定值、热阻抗和安全工作区域 11/2016
介绍了规格书中所示的电气特性 11/2016
介绍选择功率MOSFET的方法、温度特性、导线和寄生振荡的影响、雪崩耐用性,缓冲电路等 11/2016
介绍了热等效电路、通道温度计算的例子和散热器附件的考虑。 2/2017
介绍了MOSFET开关应用的栅极驱动电路设计指南,并提供了栅极驱动电路的举例。 8/2017
介绍了并联MOSFET中的电流不平衡和寄生振荡机理 8/2017
介绍了MOSFET在开关应用中的振荡机理 8/2017

目录

Catalog
名称 概述 发布日期
介绍MOSFET产品阵容 12/2017
根据封装介绍功率器件与小信号MOSFET产品阵容 3/2016

视频


Product List

MOSFET产品阵容
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