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东芝电子元件及存储装置株式会社(简称“东芝”)现已推出带有DTMOSⅥ 600V系列N沟道功率MOSFET芯片的六款产品,通过采用TO-247-4L(X)四脚封装,降低开关损耗。这些器件适用于数据中心的服务器、工业设备的开关电源(SMPS)以及光电发生器的功率调节器。
在DTMOSⅥ 600V系列(包括新产品)中,通过优化栅极设计和工艺,与具有相同额定漏源电压的东芝现有的DTMOSⅣ-H系列产品相比,漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积(MOSFET性能的品质因数)降低了约52%。
新产品采用TO-247-4L(X)四脚封装,带有一个栅极驱动信号源端子。与TO-247三脚封装相比,TO-247-4L(X)封装支持栅极驱动信号采用开尔文接法,从而减小源极导线在封装结构内部产生的电感影响。这种方法可以增强高速开关性能,有助于提高不间断电源(UPS)、光伏逆变器等设备的高效率。
东芝还提供支持电路设计的各种工具。除了可以在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型外,现在还提供可以准确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。
东芝将继续扩大DTMOSⅥ 600V系列产品线,以期通过提高工业设备开关电源的效率,早日实现碳中和。
在DTMOSⅥ 600V系列产品中,通过优化栅极设计和工艺,与具有相同额定漏源电压的东芝现有DTMOSⅣ-H系列产品相比,单位面积的漏源导通电阻值降低了约13%,栅漏电荷减小了约45%,漏源导通电阻和栅漏电荷的乘积(MOSFET性能的品质因数)降低了约52%。这意味着DTMOSⅥ系列的导通损耗与开关损耗之间的权衡关系更好,有助于提高开关电源(SMPS)的效率。
注:
[1]上述数值均由东芝测量。
在图2所示的三脚式封装示例中,当施加栅极驱动电压VDRV时,源极导线的电感分量LS和漏极电流ID的dID/dt梯度分量会产生一个反电动势电压VLS,而产生的反电动势电压VLS会减小栅极驱动电压VDRV。因此,FET芯片的栅极与源极之间施加的电压VGS就是被反电动势电压VLS减小的栅极驱动电压VDRV。这种封装方式降低了MOSFET的开关速度。
另一方面,在图3所示的四脚式封装示例中,通过连接靠近FET芯片的栅极驱动信号源极端子,可减小反电动势电压VLS的影响。因此,在四脚式封装中,栅极和源极之间施加的电压VGS与栅极驱动电压VDRV大致相同,相较于三脚式封装,这能提升MOSFET的开关速度。
注:
[2]TO-247-4L(X)封装的外观和尺寸不同于东芝现有的四脚封装TO-247-4L。请注意,在下图的箭头指示部分中,尺寸差异超过10%。如欲了解详情,敬请访问各封装的相应链接。
(Ta=25°C,除非另有规定)
器件型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | 电气特性 | 库存查询与购买 | |||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
漏源电压VDSS(V) |
漏极电流(DC) ID(A) |
漏源导通电阻RDS(ON)(mΩ) |
栅极电荷总量Qg(nC) |
栅漏电荷Qgd(nC) |
输入电容Ciss(pF) |
反向恢复时间trr(ns) |
|||
Tc=25°C | VGS=10V | VGS=10V | VGS=10V | VDS=300V | VDD=400V, -dIDR/dt =100A/μs |
||||
典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | 典型值 | |||||
TK125Z60Z1 | TO-247-4L(X) | 600 | 20 | 105 | 28 | 8 | 1620 | 285 | ![]() |
TK099Z60Z1 | 25 | 83 | 36 | 10 | 2050 | 297 | ![]() |
||
TK080Z60Z1 | 30 | 67 | 43 | 12 | 2510 | 345 | ![]() |
||
TK063Z60Z1 | 37 | 53 | 56 | 15 | 3200 | 350 | ![]() |
||
TK040Z60Z1 | 52 | 33 | 85 | 22 | 5200 | 380 | ![]() |
||
TK024Z60Z1 | 80 | 20 | 140 | 37 | 8420 | 425 | ![]() |
库存查询与购买
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器件型号 | Authorized Distributor | Stock Quantity | Date | Shopping Cart |
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