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采用DFN8×8封装的600V硅基功率MOSFET有助于实现高效电源
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）现已推出采用超级结结构的DTMOSVI 600V系列工艺的N沟道硅基功率MOSFET“TK057V60Z1”。该产品适用于数据中心级服务器、工业设备开关电源以及光伏逆变器等应用。
TK057V60Z1实现了0.047Ω（典型值）[1]的漏源导通电阻，创下东芝采用DFN8×8封装的600V硅基功率MOSFET的最低[2]纪录。
此外，相较于东芝现有同电压等级和封装的产品TK31V60X，新产品的漏源导通电阻降低约40%。同时保持相等的总栅极电荷（通常与漏源导通电阻存在权衡关系），栅漏电荷则降低约32%。这些改进降低了导通损耗和开关损耗，有助于提高电源电路的效率。
另外，采用小型贴片式DFN8x8封装有助于提高设备的功率密度。
东芝提供支持开关电源电路设计的工具。现在，除了可在短时间内验证电路功能的G0 SPICE模型之外，还提供能够精确再现瞬态特性的高精度G2 SPICE模型。东芝网站上提供的在线电路仿真器可帮助用户轻松验证电路运行，而无需构建仿真环境和下载元件模型。
东芝将继续扩大其DTMOSVI系列产品线，以提高工业设备开关电源的效率，实现碳中和。
注：
[1]测量条件：VGS＝10V，ID＝15A，Ta＝25°C
[2]东芝调查，截至2025年11月。
特点
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 低总栅极电荷（Qg），和低栅漏电荷（Qgd）
特点说明
1.低漏源导通电阻（RDS(ON)）
![图1：R<sub>DS(ON)</sub>比较<sup>[3]</sup>](/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/product/mosfets/articles/600v-silicon-power-mosfet-in-dfn8x8-package-contributing-to-high-efficiency-power-supply_features_1_en.png)
TK057V60Z1实现了0.047Ω（典型值）[1]的 RDS(ON)，创下东芝采用DFN8x8封装的600V硅基功率MOSFET的最低[2]纪录。
有助于减少导通损耗，从而提高电源设备的效率。此外，相较于竞争对手的同类产品，其RDS(ON)降低约16%[3]。
注：
[3]基于东芝实测条件
RDS(ON)测量条件：VGS＝10V，ID＝15A，Ta＝25°C
2.低总栅极电荷（Qg）和低栅漏电荷（Qgd）
DTMOSVI 600V系列通过优化栅极设计和改进工艺，降低了Qg和Qgd——这两个参数是电源设备等开关应用中的关键特性。
有助于减少驱动损耗和开关损耗，从而提高电源设备的效率。
此外，与竞争对手的同类产品相比，东芝新产品的Qg降低约4%，Qgd更是降低约28%[4]。
![图2：Q<sub>g</sub>比较<sup>[4]</sup>](/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/product/mosfets/articles/600v-silicon-power-mosfet-in-dfn8x8-package-contributing-to-high-efficiency-power-supply_features_2_en.png)
![图3：Q<sub>gd</sub>比较<sup>[4]</sup>](/content/dam/toshiba-ss-v3/master/en/semiconductor/product/mosfets/articles/600v-silicon-power-mosfet-in-dfn8x8-package-contributing-to-high-efficiency-power-supply_features_3_en.png)
注：
[4]基于东芝实测条件
Qg和Qgd 测量条件：VDD≈400V，VGS＝10V，ID＝40A，Ta＝25°C
应用
- 数据中心服务器等的开关模式电源
- 光伏逆变器
- 不间断电源（UPS）
主要规格
（除非另有规定，Ta＝25°C）
| 器件型号 | TK057V60Z1 | |||
|---|---|---|---|---|
| 绝对最大额定值 | 漏源电压VDSS（V） | 600 | ||
| 漏极电流（DC）ID（A） | 40 | |||
| 结温Tch（°C） | 150 | |||
| 电气特性 | 漏源导通电阻RDS(ON)（Ω） | VGS＝10V，ID＝15A | 典型值 | 0.047 |
| 最大值 | 0.057 | |||
总栅极电荷（栅源电荷与栅漏电荷之和）Qg（nC） |
VDD≈400V，VGS＝10V，ID＝40A | 典型值 | 65 | |
| 栅漏电荷Qgd（nC） | 15 | |||
| 输入电容Ciss（pF） | VDS＝300V，VGS＝0V，f＝100kHz | 典型值 | 3680 | |
| 封装 | 名称 | DFN8×8 | ||
| 尺寸（mm） | 典型值 | 8.0×8.0×0.85 | ||
| 库存查询与购买 |  |
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