SSM3K15ACTC

Small-signal MOSFET

  • 相关参考设计(2)

产品概要

Application Scope Load Switches
Polarity N-ch
Generation U-MOSⅢ
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name CST3C
Package Image CST3C
Pins 3
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
0.8×0.6×0.38
Package Dimensions 查看
Land pattern dimensions 查看
CAD data
(Symbol, Footprint and 3D model)
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 30 V
Gate-Source voltage VGSS +/-20 V
Drain current ID 100 mA
Power Dissipation PD 0.5 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 1.5 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 0.8 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=2.5V 6.0 Ω
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=4V 3.6 Ω
Input capacitance (Typ.) Ciss - 13.5 pF
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Oct,2024

Oct,2024

Oct,2024

(Note)

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可订购器件型号

Orderable part number
(example)
MOQ(pcs) Reliability
Information
RoHS Note
SSM3K15ACTC,L3F 10000 Yes General Use

应用

人体传感器
在设计人体传感器时,低功耗、小型化和稳定运行等非常重要。东芝提供适用于电源单元、传感器信号输入单元、报警输出单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。

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