TK155U65Z

Power MOSFET (N-ch 500V<VDSS≤700V)

产品概要

Application Scope Switching Voltage Regulators
Polarity N-ch
Generation DTMOSⅥ
Internal Connection Single
RoHS Compatible Product(s) (#) Available

封装

Toshiba Package Name TOLL
Package Image TOLL
Pins 9
Mounting Surface Mount
Width×Length×Height
(mm)
9.9×11.68×2.3
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绝对最大额定值

项目 符号 单位
Drain-Source voltage VDSS 650 V
Gate-Source voltage VGSS +/-30 V
Drain current ID 18 A
Power Dissipation PD 150 W

电气特性

项目 符号 条件 单位
Gate threshold voltage (Max) Vth - 4.0 V
Gate threshold voltage (Min) Vth - 3.0 V
Drain-Source on-resistance (Max) RDS(ON) |VGS|=10V 155
Input capacitance (Typ.) Ciss - 1635 pF
Total gate charge (Typ.) Qg VGS=10V 29 nC
Reverse recovery time (Typ.) trr - 290 ns
Reverse recovery charge (Typ.) Qrr - 3300 nC
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Jan,2023

Feb,2023

Apr,2023

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(Note)

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应用

服务器
在设计服务器时,低功耗和小型化等非常重要。东芝提供了适用于电源单元、电机驱动单元、过温监控单元等的各种半导体产品的信息以及电路配置示例。

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