SiC MOSFET／MOSFET／IGBT／双极晶体管

通用

• 什么是晶体管？
• 可使用哪些类型的晶体管？
• 是什么驱动晶体管：电流还是电压？
• 什么是MOSFET?
• 什么是IGBT?
• 什么是JFET?
• 什么是双极晶体管？
• 什么是内置偏置电阻型晶体管？
• 什么是多芯片分立器件？
• MOSFET和双极晶体管的技术文档包含一个安全工作区（SOA）图。它是什么？
• 能否将晶体管用作二极管？
• 据说结型FET可用作恒流源。我要如何创造一个恒流源？
• 结型FET广泛用于阻抗变换，它的作用是什么?
• 热计算有什么特殊考虑吗？
• MOSFET，IGBT和双极晶体管均未指定Rth（ch-a）和Rth（j-a）。 这是为什么？
• 对于小封装器件，为什么没有规定结到外壳（或通道到外壳）热阻？
• 东芝为晶体管提供什么包装带？
• 为什么没有规定工作温度范围?

SiC MOSFETs

• What kind of material SiC is? And what kind of characteristics does SiC MOSFET have?
• Can SiC MOSFET be connected in parallel and used?
• Is the back of the SiC MOSFET package insulated?
• What are the characteristics of body diode in SiC MOSET?
• What changes when Si MOSFET/IGBT is replaced with SiC MOSFET?
• What should be noted when setting SiC MOSFET gate voltage (V_GS)?

MOSFET

• N沟道MOSFET的工作原理是什么？
• 超结MOSFET与普通D-MOS有何不同？
• MOSFET的电容特性是什么？
• MOSFET的电气特性（静态特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）
• MOSFET的电气特性（静态特性Vth）
• MOSFET漏极-源极导通电阻R_DS(ON)是什么？
• MOSFET的电气特性（动态特性Ciss／Crss／Coss）
• MOSFET的电气特性（动态特性tr／ton／tf／toff）
• MOSFET的电气特性（电荷特性Qg／Qgs1／Qgd／QSW／QOSS）
• MOSFET体二极管有哪些特点？
• MOSFET数据表中列出的最大额定值是多少？
• 安装MOSFET时有哪些注意事项？
• 安全工作区内的虚线标注为“此区域受RDS(ON)限制。”这是什么意思？
• 绝对最大额定值表中所列的“漏极电流（DC）（硅极限）”定义是什么？
• 功耗的定义是什么？
• MOSFET中的雪崩是什么?（雪崩能力）
• 作为绝对最大额定值的一部分规定的雪崩能力是什么?
• 能否在栅极与源极之间使用齐纳二极管吸收浪涌？
• 为何不规定工作温度范围？
• 为什么东芝的功率MOSFET所具有的栅极-源极漏电流（IGSS）比其它公司的大？
• 电容、栅极电荷（Qg）和开关特性是否有最大保证值？
• 能否可以在漏极和源极之间使用体二极管？
• MOSFET驱动电流是否有必要？
• MOSFET的导通电阻是否取决于温度？
• MOS对静电敏感。如何防止MOSFET受静电影响？
• MOSFET漏极-源极之间的寄生二极管有哪些？
• 在哪里查找有关MOSFET命名规则的信息？
• 数据表中未指定正向转移导纳（|Yfs|）的原因是什么？
• 如何计算小信号MOSFET的通道到环境的热阻Rth（ch-a）？
• CPU和MOSFET之间通常会插入电阻。为什么需要使用这些电阻？
• 漏极电流I_D和I_DP（绝对最大额定值）是否随温度变化？
• 并联使用MOSFET有哪些注意事项?
• 驱动MOSFET应施加多少栅极-源极电压?
• MOSFET不会被关断信号关断。我怎么解决这个问题?
• MOSFET的“逻辑电平栅极驱动”含义是什么?
• 当使用MOSFET作为负载开关时，如何减少出现的浪涌电流?
• MOSFET的dv／dt是什么意思?
• 在功率MOSFET的漏极与源极之间施加反向电压时有哪些注意事项？
• 如何计算雪崩能量。
• 为什么在锂离子二次电池保护电路中串联使用两个MOSFET？
• 如何为电流在体二极管中流动的应用选择合适的高压MOSFET
• 安全工作区（SOA）降额是什么意思？
• 外壳温度是在半导体的哪一部分测量的？
• 什么是开尔文连接？
• 串联栅极电阻如何影响MOSFET?
• MOSFET驱动信号的上升时间和下降时间应注意什么?

IGBT

• 什么是IGBT？
• MOSFET与IGBT之间有何区别？
• MOSFET与IGBT分别适合哪些应用？
• IGBT的工作原理是什么？
• IGBT有哪些结构？
• 什么是反向导通IGBT（RC-IGBT）？
• 什么是电导率调制？
• 什么是安全工作区？
• IGBT功耗的定义是什么？
• 什么是IGBT的拖尾电流？
• 请提供一些IGBT应用示例。
• 请说明使用IGBT的硬开关和软开关。
• 请说明IGBT的电压谐振软开关操作。
• 请说明IGBT的电流谐振软开关操作。
• 如何针对IGBT关断产生的浪涌电压采取保护措施？
• 是否可以并联多个IGBT？如果可以，那么并联有哪些注意事项？
• IGBT栅极应以什么电压驱动？

偏置电阻内置晶体管（BRT）

• 什么是偏置电阻内置晶体管（BRT）？
• 电阻有哪些变化？
• 偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极可施加的最大电压是多少？（内置电阻的允许功耗是多少瓦？）
• 如何计算偏置电阻内置晶体管（BRT）的允许功耗？
• 偏置电阻内置晶体管（BRT）的导通电压和关断电压分别是多少？
• 关于如何计算偏置电阻内置晶体管（BRT）的基极电流和输入电压的基本思路
• 关于偏置电阻内置晶体管（BRT）的h_FE
• 有哪些类型的偏置电阻内置晶体管（BRT）？
• 如何选择偏置电阻内置晶体管（BRT）？
• 如何读取偏置电阻内置晶体管（BRT）的数据表（电气特性）
• 偏置电阻内置晶体管（BRT）如何工作？
• 如因重负载致使偏置电阻内置晶体管（BRT）的V_CE(sat)未降至设计目标，如何应对？
• 如何提高偏置电阻内置晶体管（BRT）的开关速度？
• 当偏置电阻内置晶体管（BRT）导通时获得必要的电压（即降低“导通”状态下集电极-发射极电压降）

双极晶体管

• 有哪些类型的双极晶体管（双极结型晶体管：BJT）？
• 双极结型晶体管（BJT）有哪些应用？
• 双极结型晶体管（BJT）的基极电流和集电极电流之间有什么关系？
• npn晶体管和pnp晶体管如何工作？
• 查看双极晶体管的具体技术数据表
• 双极结型晶体管（BJT）的电气特性是什么？
• 测量双极结型晶体管（BJT）电气特性的方法是什么？
• 双极结型晶体管（BJT）的集电极端和发射极端能否互换？
• 双极晶体管的瞬态热阻与安全工作区有什么关系？
• 双极晶体管的数据表和其它文档包含安全工作区（SOA）图表。什么是安全工作区（SOA）？
• 双极晶体管散热有什么特殊考虑吗？
• 如果向双极结型晶体管（BJT）基极端子施加超过发射极-基极绝对最大额定电压的反向电压，会发生什么情况？
• 如何计算小信号晶体管的结到环境的热阻（R_th（j-a））？